[发明专利]基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统在审
申请号: | 202211002884.5 | 申请日: | 2022-08-19 |
公开(公告)号: | CN115341199A | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 黎静;田青林 | 申请(专利权)人: | 江苏实为半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 江苏长德知识产权代理有限公司 32478 | 代理人: | 刘威威 |
地址: | 221300 江苏省徐州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 cvd 设备 体温 控制系统 | ||
1.基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统,其特征在于,所述多腔CVD设备的腔体温度控制系统包括:主控模块、位置定位模块、温控模块、测温模块、计算分析模块和判断对比模块;
主控模块,主控模块包括显示单元和处理单元,且主控模块用于接收、处理整个系统的数据传输,并对其他设备发送控制命令;
位置定位模块,位置定位模块包括多个位置定位单元,每个位置定位单元安装在单个的腔体上,腔体对应安装的位置定位单元用于对CVD设备中此腔体的位置进行定位,获取此个腔体的位置并对其标号为Xn;
温控模块,温控模块包括多套磁控管单元,每套磁控管单元分别设置在该CVD设备的单个腔体上,且每套磁控管单元包括一个磁控管冷却仪器和磁控管加热仪器;
测温模块,测温模块包括测温仪器,其用于对CVD设备每个腔体的位置进行温度检测;
计算分析模块,计算分析模块用于计算分析输入热流量后单个腔体内部达到的最终温度Tmi;
判断对比模块,判断对比模块用于每个腔体在通入一定量的热流量后判断腔体内部传热后的最终温度Tmi是否能够达到工作所需的温度T0,如果否,则输出对应腔体标号的温度异常信号;主控模块接收异常信号,并通过温控模块对温度异常的腔体进行调整;判断调整后的温度Tmi+1是否达到工作所需的温度T0,如果是,则输出达标信号。
2.根据权利要求1所述的基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统,其特征在于,所述位置定位模块中的多个位置定位单元与主控模块电性连接,位置定位模块通过位置定位单元对与位置定位单元对应安装的此腔体进行定位,获取此个腔体在CVD设备中的位置并对其标号为Xn,腔体标记后的信号传递给主控模块进行数据收集储存和处理。
3.根据权利要求1所述的基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统,其特征在于,所述计算分析模块与测温模块电性连接,计算分析模块和测温模块分别与主控模块电性连接,主控模块控制测温模块中的测温仪器对与测温仪器对应安装的此腔体的初始温度进行测量,测量出此腔体当前的温度值Ti,测温模块将测量值信号传递给主控模块收集储存和处理,主控模块将传输过来的初始温度值Ti输送给计算分析模块,计算分析模块对初始温度值Ti信号进行接收和处理。
4.根据权利要求3所述的基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统,其特征在于,所述计算分析模块用于获取当前的腔体中通入的热流量Qi,热流量Qi是由温控模块提供,并计算通入热流量Qi后腔体内部的最终温度其中,为导热厚度,λ为传热系数,Am为传热面积。
5.根据权利要求4所述的基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统,其特征在于,温控模块与主控模块电性连接,温控模块接收到主控模块传输过来的信号进行分析处理后将信号传递给相对应腔体上的磁控管冷却仪器或磁控管加热仪器,磁控管冷却仪器用于对腔体进行降温冷却调节,磁控管加热仪器用于对腔体进行升温加热调节。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的