[发明专利]一种栅驱动电路的高压隔离环结构在审
| 申请号： | 202210978642.3 | 申请日： | 2022-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN115498014A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 苗彬彬;金锋;苏庆;蔡莹 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅驱动电路的高压隔离环结构，包括高压场效应管、高耐压隔离环及两者之间的高压过渡区连接形成的闭环结构；闭环结构内部为高端电压区域，外部为低端电压区域；插入在高压场效应管和高端电压区域之间的P型屏蔽隔离环；嵌套在P型屏蔽隔离环上的自屏蔽隔离环；形成于P型屏蔽隔离环间的高压互连寄生电阻区，调节自屏蔽隔离环嵌入在P型屏蔽隔离环的位置以及两根P型屏蔽隔离环的间距可以调整高压互连寄生电阻区的寄生N‑epi电阻。本发明在高压场效应管和高端电压区域之间用P型屏蔽隔离环来实现两者完全隔离，然后在P型屏蔽隔离环上嵌套自屏蔽隔离环，实现部分区域全屏蔽隔离、部分区域自屏蔽隔离的半自屏蔽隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 驱动 电路 高压 隔离 结构 | ||
【主权项】：
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