[发明专利]一种栅驱动电路的高压隔离环结构

权利要求书

1.一种栅驱动电路的高压隔离环结构，其特征在于，至少包括：

高压场效应管、高压隔离环及两者之间的高压过渡区连接形成的闭环结构；所述闭环结构内部为高端电压区域，外部为低端电压区域；

插入在所述高压场效应管和所述高端电压区域之间的P型屏蔽隔离环；

嵌套在所述P型屏蔽隔离环上的自屏蔽隔离环；

形成于所述P型屏蔽隔离环间的高压互连寄生电阻区，调节所述自屏蔽隔离环嵌入在所述P型屏蔽隔离环的位置以及两根所述P型屏蔽隔离环的间距可以调整所述高压互连寄生电阻区的寄生N-epi电阻。

2.根据权利要求1所述的栅驱动电路的高压隔离环结构，其特征在于，所述闭环结构为封闭方形环状，转角处以圆弧处理。

3.根据权利要求1所述的栅驱动电路的高压隔离环结构，其特征在于，所述高压场效应管为LDMOS，包括：P型基底、位于所述P型基底上的外延层，靠近所述低端电压区域的所述LDMOS的源极，靠近所述P型屏蔽隔离环的所述LDMOS的漏极以及位于所述源极和漏极之间的栅极。

4.根据权利要求3所述的栅驱动电路的高压隔离环结构，其特征在于，在所述LDMOS的源极下方的所述外延层中设有P阱，所述P阱中具有P型重掺杂区和N型重掺杂区；在所述LDMOS源极和漏极之间的外延层表面具有场氧化区，分别连接于栅极和漏极的场板覆盖所述场氧化区的两端，所述场氧化区下方外延层中形成有P型顶部注入层，所述LDMOS部分的漏极下方的所述外延区中设有N型重掺杂区。

5.根据权利要求4所述的栅驱动电路的高压隔离环结构，其特征在于，所述LDMOS部分和所述低端电压区域的交界处设有高压P阱和位于所述高压P阱上的P型埋层，所述高压P阱位于所述外延层中，所述P型埋层位于所述P型基底和所述外延层的交界处。

6.根据权利要求5所述的栅驱动工艺的高压隔离环结构，其特征在于，所述高端电压区域包括：P型基底、位于所述P型基底上的外延层、位于所述P型基底与所述外延层交界处的N型埋层；位于所述外延层表面处的N型重掺杂区，位于所述N型重掺杂区上方的电源VB。

7.根据权利要求6所述的栅驱动工艺的高压隔离环结构，其特征在于，所述P型屏蔽隔离环由下部P型埋层和上部高压P阱对通连接形成，和P型基底连通，高压P阱上方形成有场氧化区，实现P型屏蔽隔离环两侧外延层的全隔离。

8.根据权利要求1所述的栅驱动工艺的高压隔离环结构，其特征在于，在所述P型屏蔽隔离环上分段，分段空余部分用所述自屏蔽隔离环嵌入。

9.根据权利要求8所述的栅驱动工艺的高压隔离环结构，其特征在于，在包围所述高压场效应管的靠里第一根P型屏蔽隔离环一侧靠近源极位置开一段口子，用第一自屏蔽隔离环填充；在包围所述高压场效应管的靠里第二根P型屏蔽隔离环另一侧同样开一段口子，用第二自屏蔽隔离环填充。

10.根据权利要求9所述的栅驱动工艺的高压隔离环结构，其特征在于，从漏极VD端经过第一自屏蔽隔离环到两个P型隔离环之间N-epi区域再经过第二自屏蔽隔离环连到电源VB端构成所述高压互连寄生电阻区。