[发明专利]射频组件的制造方法在审
| 申请号： | 202210966830.4 | 申请日： | 2022-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115881648A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | P·奥特克尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 丁君军 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本描述涉及射频组件的制造方法。一种制造设备的方法，该设备包括半导体衬底上的至少一个射频组件，该方法包括：a)在衬底的上表面侧对衬底的第一厚度进行激光退火；b)在衬底的上表面上形成绝缘层；和c)在绝缘层上形成所述至少一个射频组件。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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