[发明专利]射频组件的制造方法

说明书

本描述涉及射频组件的制造方法。一种制造设备的方法，该设备包括半导体衬底上的至少一个射频组件，该方法包括：a)在衬底的上表面侧对衬底的第一厚度进行激光退火；b)在衬底的上表面上形成绝缘层；和c)在绝缘层上形成所述至少一个射频组件。

技术领域

本公开总体涉及诸如射频组件的电子组件领域。

相关技术说明

已知的射频组件包括有源组件(诸如放大器、混频器和数据转换器)，以及无源组件(诸如电容器、电感和天线)。

发明内容

需要改进已知的射频组件及其制造方法。

实施例提供了在半导体衬底上制造包括至少一个射频组件的设备的方法，该方法包括：

a)在衬底的上表面侧对衬底的第一厚度进行激光退火；

b)在衬底的上表面上形成绝缘层；以及

c)在绝缘层上形成所述至少一个射频组件。

根据一个实施例，衬底的电阻率大于3kΩ.

根据一个实施例，该方法包括：在步骤a)之前，在衬底的上表面侧形成氧化物层的步骤。

根据一个实施例，在步骤a)期间激光的功率在4J/cm²数量级。

根据一个实施例，衬底由硅或氮化镓制成。

根据一个实施例，激光的波长在300nm至700nm范围内。

根据一个实施例，在步骤a)期间，熔化衬底的第一厚度。

根据一个实施例，步骤a)之后是冷却衬底的步骤。

根据一个实施例，第一厚度在0.5μm到2μm的范围内(例如，为1μm的量级)。

附图说明

上述特征和优点以及其他将在以下以图示方式给出的具体实施例的描述中详细描述，而不限于参考附图，其中：

图1是示出包括射频组件的设备示例的横截面图；

图2是示出根据一个实施例，在制造包括射频组件的设备的方法的示例的步骤结束时获得的结构的横截面图；

图3是示出根据一个实施例，在制造包括射频组件的设备的方法的示例的另一步骤结束时获得的结构的横截面图；

图4是示出根据一个实施例，在制造包括射频组件的设备的方法的示例的另一步骤结束时获得的结构的横截面图；

图5是示出根据一个实施例，在制造包括射频组件的设备的方法的示例的另一步骤结束时获得的结构的横截面图；以及

图6是示出根据一个实施例，在制造包括射频组件的设备的方法的示例的另一步骤结束时获得的结构的横截面图。

具体实施方式

相似特征由在不同图中的相似附图标记指定。特别地，各种实施例中常见的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记，并且可以配置相同的结构、尺寸和材料特性。

为了清楚起见，仅对有助于理解本文所述实施例的步骤和元件进行了详细说明和描述。特别地，射频组件的形成尚未详细说明，基于本说明书的指示，这些组件的形成在本领域技术人员的能力范围内。此外，可能使用此类组件的应用尚未详细说明，所描述的实施例与射频组件的通常应用兼容。

除非另有说明，否则当提及被连接在一起的两个元件时，这表示直接连接，没有除导体以外的任何中间元件，并且当提及被耦合在一起的两个元件时，这表示这两个元件可以被连接或经由一个或多个其他元件被耦合。