[发明专利]射频组件的制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过对衬底进行激光退火，形成所述衬底的电荷载流子层，所述电荷载流子层具有第一厚度并且存在于所述衬底的表面处；

在所述衬底的所述表面和所述衬底的所述电荷载流子层上形成绝缘层；以及

在所述绝缘层上形成至少一个射频组件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底具有大于3kΩ(千欧姆)的电阻率。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述电荷载流子层之前，在所述衬底的所述表面处形成氧化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光退火包括利用功率为4J/cm²(焦耳/每平方厘米)数量级的激光。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底由硅制成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底由氮化镓制成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光退火包括利用具有在从300nm(纳米)到700nm范围内的波长的激光。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述电荷载流子层包括将所述衬底熔化到所述第一厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述电荷载流子层包括冷却所述衬底。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一厚度在从0.5μm(微米)到2μm的范围内或等于从0.5μm(微米)到2μm的范围的上端或下端。

11.一种设备，包括：

半导体衬底，包括：

第一层；

在所述第一层上的第二层，所述第二层包括多个空穴；以及

在所述第二层上的第三层，所述第三层包括多个电荷载流子陷阱。

12.根据权利要求11所述的设备，还包括在所述半导体衬底的所述第三层上的绝缘层。

13.根据权利要求12所述的设备，还包括在所述绝缘层上的至少一个射频组件。

14.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一层为半导体层。

15.根据权利要求11所述的设备，其中所述第二层为结晶层。

16.根据权利要求11所述的设备，其中所述第三层为非晶态氧化层。

17.根据权利要求11所述的设备，其中：

所述第二层具有在从0.5μm到2μm的范围内或等于从0.5μm到2μm的范围的上端或下端的厚度；以及

所述第三层具有在从0.5μm到2μm的范围内或等于从0.5μm到2μm的范围的上端或下端的厚度。

18.一种方法，包括：

在所述衬底的表面处形成氧化层；

形成衬底的电荷载流子层和所述衬底的空穴层，形成所述电荷载流子层和所述空穴层，包括：

通过将所述衬底的所述表面处的所述氧化层暴露于激光，在所述衬底的表面处形成所述衬底的熔化部分；以及

冷却在所述衬底的所述表面处的所述衬底的所述熔化部分；在所述电荷载流子层上形成绝缘层；以及

在所述绝缘层上形成至少一个射频组件。