[发明专利]光刻胶去除腔的清洗方法在审
| 申请号： | 202210966068.X | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115407623A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张硕;吴长明;冯大贵;余鹏;孙建;李先宏;尚柯 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;B08B7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻胶去除腔的清洗方法。光刻胶去除腔的清洗方法包括以下步骤：在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；在所述光刻胶去除腔中，对在前晶片组进行光刻胶去除工艺；在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述在后晶片组与所述在前晶片组为相邻两组晶片组，每组所述晶片组包括多张晶片；在所述光刻胶去除腔中，对在后晶片组进行光刻胶去除工艺。本申请可以解决相关技术中随着工艺的进行，去除腔上的聚合物逐渐堆积的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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