[发明专利]光刻胶去除腔的清洗方法

说明书

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻胶去除腔的清洗方法。光刻胶去除腔的清洗方法包括以下步骤：在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；在所述光刻胶去除腔中，对在前晶片组进行光刻胶去除工艺；在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述在后晶片组与所述在前晶片组为相邻两组晶片组，每组所述晶片组包括多张晶片；在所述光刻胶去除腔中，对在后晶片组进行光刻胶去除工艺。本申请可以解决相关技术中随着工艺的进行，去除腔上的聚合物逐渐堆积的问题。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻胶去除腔的清洗方法。

背景技术

光刻胶去除工艺是半导体制造工艺中不可或缺的步骤之一。随着半导体芯片的关键尺寸越来越小，其对光刻胶去除工艺的要求更为严格，控制更为精细，一旦光刻胶去除不完全出现光刻胶剥落的问题则会导致芯片的良率降低。

相关技术中的光刻胶去除工艺通常在光刻胶去除腔中进行，但是随着工艺的进行，去除腔上的聚合物逐渐堆积，甚至掉落在晶片表面从而影响光刻胶去除。

发明内容

本申请提供了一种光刻胶去除腔的清洗方法，可以解决相关技术中随着工艺的进行，去除腔上的聚合物逐渐堆积的问题。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种光刻胶去除腔的清洗方法，所述光刻胶去除腔的清洗方法包括以下步骤：

在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；

在所述光刻胶去除腔中，对在前晶片组进行光刻胶去除工艺；

在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述在后晶片组与所述在前晶片组为相邻两组晶片组，每组所述晶片组包括多张晶片；

在所述光刻胶去除腔中，对在后晶片组进行光刻胶去除工艺。

可选地，所述在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤，包括：

在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔加温至220℃至350℃，向所述光刻胶去除腔中通入包括第一混合气的第一反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；

所述第一混合气中包括氢气，所述氢气在所述第一混合气的占比为3％至5％。

可选地，所述在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔加温至220℃至350℃，向所述光刻胶去除腔中通入包括第一混合气的第一反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤中，所述第一混合气还包括氮气，所述氮气在所述第一混合气的占比为97％至95％。

可选地，所述第一混合气在所述第一反应气体中的占比为20％至100％。

可选地，所述在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤，包括：

在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，向所述光刻胶去除腔中通入包括第二混合气的第二反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述第二混合气中包括氢气，所述氢气在所述第二混合气的占比为3％至5％。