[发明专利]光刻胶去除腔的清洗方法在审
| 申请号： | 202210966068.X | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115407623A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张硕;吴长明;冯大贵;余鹏;孙建;李先宏;尚柯 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;B08B7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 清洗 方法 | ||
1.一种光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述光刻胶去除腔的清洗方法包括以下步骤：
在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；
在所述光刻胶去除腔中，对在前晶片组进行光刻胶去除工艺；
在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述在后晶片组与所述在前晶片组为相邻两组晶片组，每组所述晶片组包括多张晶片；
在所述光刻胶去除腔中，对在后晶片组进行光刻胶去除工艺。
2.如权利要求1所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤，包括：
在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔加温至220℃至350℃，向所述光刻胶去除腔中通入包括第一混合气的第一反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；
所述第一混合气中包括氢气，所述氢气在所述第一混合气的占比为3％至5％。
3.如权利要求2所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔加温至220℃至350℃，向所述光刻胶去除腔中通入包括第一混合气的第一反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤中，所述第一混合气还包括氮气，所述氮气在所述第一混合气的占比为97％至95％。
4.如权利要求3所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述第一混合气在所述第一反应气体中的占比为20％至100％。
5.如权利要求1所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤，包括：
在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，向所述光刻胶去除腔中通入包括第二混合气的第二反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述第二混合气中包括氢气，所述氢气在所述第二混合气的占比为3％至5％。
6.如权利要求5所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，向所述光刻胶去除腔中通入包括第二混合气的第二反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤中，所述第二混合气中还包括氮气，所述氮气在所述第二混合气的占比为97％至95％。
7.如权利要求5所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述第二混合气在所述第二反应气体中的占比为20％至100％。
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