[发明专利]一种具有高阈值的氮化镓功率半导体在审
| 申请号： | 202210941623.3 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN115295617A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘劼 | 申请（专利权）人： | 绍兴芯能光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京深川专利代理事务所(普通合伙) 16058 | 代理人： | 覃海芬 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高阈值的氮化镓功率半导体，包括半导体本体、散热背板、三氧化二铝衬底和栅极层，散热背板固定于半导体本体的一侧，半导体本体的顶部和底部皆均匀固定有引脚，栅极层设置于半导体本体的一侧。本发明通过安装有半导体本体、导电管和导电区，使得装置优化了自身的性能，使用时，一方面通过在半导体本体上设置有材质为氮化铝的过渡层，利用该性质稳定的过渡结构，便于分摊电流压力，另一方面通过在半导体本体的内部设置有带有导电管的导电区，通过导电作用，可以有效消除电荷存储现象，保证了器件在重复开关工作条件下具有较高的阈值稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阈值 氮化 功率 半导体 | ||
【主权项】：
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