[发明专利]一种具有高阈值的氮化镓功率半导体

权利要求书

1.一种具有高阈值的氮化镓功率半导体，其特征在于，包括半导体本体(2)、散热背板(4)、三氧化二铝衬底(13)和栅极层(14)，所述散热背板(4)固定于半导体本体(2)的一侧，所述半导体本体(2)的顶部和底部皆均匀固定有引脚(1)，所述栅极层(14)设置于半导体本体(2)的一侧，所述三氧化二铝衬底(13)设置于半导体本体(2)的另一侧，所述栅极层(14)和三氧化二铝衬底(13)之间的半导体本体(2)上设置有二氧化硅绝缘层(15)、帽层(16)、阻挡层(7)、氮化镓衬底层(9)、第一氮化镓缓冲层(10)、第二氮化镓缓冲层(11)和过渡层(12)，所述半导体本体(2)内部的两端皆固定有金属导体(8)，所述半导体本体(2)的内部设置有导电区(6)。

2.根据权利要求1所述的一种具有高阈值的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述引脚(1)在半导体本体(2)上呈等间距排列，所述引脚(1)上均匀设置有预留孔(3)。

3.根据权利要求1所述的一种具有高阈值的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述散热背板(4)的材质为铜合金，所述散热背板(4)和半导体本体(2)之间填充有导热层(5)。

4.根据权利要求3所述的一种具有高阈值的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述导热层(5)的材质为导热硅胶。

5.根据权利要求1所述的一种具有高阈值的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述导电区(6)的内部均匀设置有导电管(17)。

6.根据权利要求1所述的一种具有高阈值的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述阻挡层(7)的材质为氮化镓铝，所述金属导体(8)的材质为铜。

7.根据权利要求1所述的一种具有高阈值的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述过渡层(12)的材质为氮化铝。

8.根据权利要求1所述的一种具有高阈值的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述栅极层(14)的材质为多晶硅，所述帽层(16)的材质为氮化镓。

9.根据权利要求5所述的一种具有高阈值的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述导电管(17)的材质为银，所述导电管(17)在导电区(6)的内部呈等间距排布。