[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202210939388.6 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115831874A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陈学儒;陈昱璇;吴俊毅;黄文宏;林宗达;陈建豪;洪正隆;游国丰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在实施例中，一种器件包括：隔离区，位于衬底上；第一半导体鳍，突出于隔离区上方；第一栅极电介质，位于第一半导体鳍的第一沟道区的，第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；第二半导体鳍，突出于隔离区上方；第二栅极电介质，位于第二半导体鳍的第二沟道区上，第二栅极电介质包括第二界面层和第二高k介电层，第一沟道区上的第一界面层的第一部分具有比第二沟道区上的第二界面层的第二部分大的厚度，第二沟道区具有比第一沟道区大的高度。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
