[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

在实施例中，一种器件包括：隔离区，位于衬底上；第一半导体鳍，突出于隔离区上方；第一栅极电介质，位于第一半导体鳍的第一沟道区的，第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；第二半导体鳍，突出于隔离区上方；第二栅极电介质，位于第二半导体鳍的第二沟道区上，第二栅极电介质包括第二界面层和第二高k介电层，第一沟道区上的第一界面层的第一部分具有比第二沟道区上的第二界面层的第二部分大的厚度，第二沟道区具有比第一沟道区大的高度。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用(例如个人计算机、手机、数字照相机及其他电子器件)中。半导体器件通常是通过如下方式制作而成：在半导体衬底之上依序沉积绝缘层或介电层、导电层及半导体层，并使用光刻及蚀刻技术将各种材料层图案化以在其上形成电路组件及元件。

半导体行业通过不断减小最小部件尺寸(minimum feature size)来不断提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，此使得能够将更多的组件集成到给定区域中。然而，随着最小部件大小的减小，出现应解决的附加问题。

发明内容

在实施例中，一种半导体器件包括：隔离区，位于衬底上；第一半导体鳍，突出于隔离区上方；第一栅极电介质，位于第一半导体鳍的第一沟道区上，第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；第二半导体鳍，突出于隔离区上方；第二栅极电介质，位于第二半导体鳍的第二沟道区上，第二栅极电介质，包括第二界面层和第二高k介电层，第一沟道区上的第一界面层的第一部分具有大于第二沟道区上的第二界面层的第二部分的厚度，第二沟道区的高度大于第一沟道区的高度。

在实施例中，一种半导体器件包括：从衬底延伸的第一半导体鳍，第一半导体鳍的一侧包括第一侧壁、第二侧壁和锯齿状台阶表面，锯齿状台阶表面连接第一侧壁至第二侧壁；第一栅极电介质，包括沿第一侧壁、第二侧壁和第一半导体鳍的锯齿状台阶表面延伸的第一界面层；从衬底延伸的第二半导体鳍，第二半导体鳍的一侧包括单个侧壁；第二栅极电介质包括沿第二半导体鳍的单个侧壁延伸的第二界面层。

在实施例中，一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一沟道区和第二沟道区上沉积界面层；在界面层上沉积高k介电层；在高k介电层上形成覆盖层，覆盖层与第一沟道区上方的界面层的第一部分重叠，第二沟道区上方的界面层的第二部分没有覆盖层，覆盖层含氧；通过对覆盖层和界面层进行退火，将氧从覆盖层驱入界面层的第一部分；并去除覆盖层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可更好地理解本发明。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的鳍式场效应晶体管(FinFET)的示例。

图2-图19B是根据一些实施例的FinFET的制造中的中间阶段的视图。

图20是根据一些实施例的FinFET的视图。

图21是根据一些实施例的FinFET的视图。

图22是根据一些实施例的FinFET的视图。

图23是根据一些实施例的FinFET的视图。

具体实施方式