[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

隔离区，位于衬底上；

第一半导体鳍，突出于所述隔离区上方；

第一栅极电介质，位于所述第一半导体鳍的第一沟道区上，所述第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；

第二半导体鳍，突出于所述隔离区上方；和

第二栅极电介质，位于所述第二半导体鳍的第二沟道区上，所述第二栅极电介质包括第二界面层和第二高k介电层，所述第一沟道区上的所述第一界面层的第一部分具有比所述第二沟道区上的所述第二界面层的第二部分大的厚度，所述第二沟道区具有比所述第一沟道区大的高度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质均设置在所述隔离区上，并且所述隔离区上的所述第一界面层的第三部分具有与所述隔离区上的所述第二界面层的第四部分相同的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道区的第一顶表面是基本平坦的，并且所述第二沟道区的第二顶表面是基本平坦的。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道区的第一顶表面是基本平坦的，并且所述第二沟道区的第二顶表面是凸的。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体鳍的一侧包括第一侧壁、第二侧壁、和锯齿状台阶表面，所述锯齿状台阶表面将所述第一侧壁连接到所述第二侧壁，所述第一界面层沿所述第一侧壁、所述第二侧壁、和所述锯齿状台阶表面延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一栅电极，位于所述第一栅极电介质上；和

第二栅电极，位于所述第二栅极电介质上，所述第一栅电极具有大于所述第二栅电极的宽度。

7.一种半导体器件，包括：

第一半导体鳍，从衬底延伸，所述第一半导体鳍的一侧包括第一侧壁、第二侧壁、和锯齿状台阶表面，所述锯齿状台阶表面将所述第一侧壁连接到所述第二侧壁；

第一栅极电介质，包括沿所述第一半导体鳍的所述第一侧壁、所述第二侧壁、和所述锯齿状台阶表面延伸的第一界面层；

第二半导体鳍，从所述衬底延伸，所述第二半导体鳍的一侧包括单个侧壁；和

第二栅极电介质，包括沿所述第二半导体鳍的所述单个侧壁延伸的第二界面层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述锯齿状台阶表面是基本平坦的。

9.根据权利要求7所述的器件，其中，所述锯齿状台阶表面是凸的。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底的第一沟道区和第二沟道区上沉积界面层；

在所述界面层上沉积高k介电层；

在所述高k介电层上形成覆盖层，所述覆盖层与所述第一沟道区之上的所述界面层的第一部分重叠，所述第二沟道区之上的所述界面层的第二部分没有所述覆盖层，所述覆盖层包含氧；

通过对所述覆盖层和所述界面层进行退火，将所述氧从所述覆盖层驱入所述界面层的所述第一部分；和

去除所述覆盖层。