[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210937308.3 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115706146A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 辻幸洋 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有基板、半导体层、绝缘层、源电极和漏电极以及栅电极，半导体层具有电子渡越层和电子供给层，在电子供给层和电子渡越层形成有第一开口和第二开口，在绝缘层形成有第三开口和第四开口，第一开口具有第二开口侧的第一缘，第二开口具有第一开口侧的第二缘，第三开口具有第四开口侧的第三缘，第四开口具有第三开口侧的第四缘，半导体层还具有源极区域和漏极区域，在俯视观察下，第一开口的第一缘位于比第三开口的第三缘离第二开口近的位置，第二开口的第二缘位于比第四开口的第四缘离第一开口近的位置，源极区域的一部分与绝缘层重叠，漏极区域的一部分与绝缘层重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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