[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

基板，具备第一主面；

半导体层，设于所述基板的所述第一主面之上；

绝缘层，设于所述半导体层之上；

源电极和漏电极，设于所述半导体层之上；以及

栅电极，设于所述绝缘层之上，

所述半导体层具有：

电子渡越层，设于所述基板的上方，具备第一上表面；以及

电子供给层，设于所述电子渡越层的上方，

在所述电子供给层和所述电子渡越层形成有第一开口和第二开口，

在所述绝缘层形成有与所述第一开口相连的第三开口和与所述第二开口相连的第四开口，

所述第一开口具有所述第二开口侧的第一缘，

所述第二开口具有所述第一开口侧的第二缘，

所述第三开口具有所述第四开口侧的第三缘，

所述第四开口具有所述第三开口侧的第四缘，

所述第一开口的底和所述第二开口的底位于比所述第一上表面朝向所述基板侧更深的位置，

所述半导体层还具有：

源极区域，含有第一导电类型的杂质，设于所述第一开口内；以及

漏极区域，含有所述第一导电类型的杂质，设于所述第二开口内，

所述源电极设于所述源极区域之上，

所述漏电极设于所述漏极区域之上，

在从与所述第一主面垂直的方向的俯视观察下，

所述第一开口的所述第一缘位于比所述第三开口的所述第三缘离所述第二开口近的位置，

所述第二开口的所述第二缘位于比所述第四开口的所述第四缘离所述第一开口近的位置，

所述源极区域的一部分与所述绝缘层重叠，

所述漏极区域的一部分与所述绝缘层重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在从与所述第一主面垂直的方向的俯视观察下，

所述第一缘与所述第三缘之间的距离为0.2μm以上且1.5μm以下，

所述第二缘与所述第四缘之间的距离为0.2μm以上且1.5μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述源极区域的上表面的一部分与所述绝缘层的下表面的一部分接触，

所述漏极区域的上表面的一部分与所述绝缘层的下表面的另外的一部分接触。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述栅电极与所述半导体层肖特基接触。

5.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：

在具备第一主面的基板的所述第一主面的上方形成具备第一上表面的电子渡越层；

在所述电子渡越层的上方形成电子供给层；

在所述电子供给层的上方形成绝缘层；

在所述绝缘层形成第三开口和第四开口；

在所述电子供给层和所述电子渡越层形成与所述第三开口相连的第一开口和与所述第四开口相连的第二开口；

在所述第一开口内形成含有第一导电类型的杂质的源极区域，在所述第二开口内形成含有所述第一导电类型的杂质的漏极区域；

在所述源极区域之上形成源电极，在所述漏极区域之上形成漏电极；以及

在所述绝缘层之上形成栅电极，

所述第一开口具有所述第二开口侧的第一缘，

所述第二开口具有所述第一开口侧的第二缘，

所述第三开口具有所述第四开口侧的第三缘，

所述第四开口具有所述第三开口侧的第四缘，

所述第一开口的底和所述第二开口的底位于比所述第一上表面朝向所述基板侧更深的位置，

在从与所述第一主面垂直的方向的俯视观察下，

所述第一开口的所述第一缘位于比所述第三开口的所述第三缘离所述第二开口近的位置，

所述第二开口的所述第二缘位于比所述第四开口的所述第四缘离所述第一开口近的位置，

所述源极区域的一部分与所述绝缘层重叠，

所述漏极区域的一部分与所述绝缘层重叠。