[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

本公开提供半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有基板、半导体层、绝缘层、源电极和漏电极以及栅电极，半导体层具有电子渡越层和电子供给层，在电子供给层和电子渡越层形成有第一开口和第二开口，在绝缘层形成有第三开口和第四开口，第一开口具有第二开口侧的第一缘，第二开口具有第一开口侧的第二缘，第三开口具有第四开口侧的第三缘，第四开口具有第三开口侧的第四缘，半导体层还具有源极区域和漏极区域，在俯视观察下，第一开口的第一缘位于比第三开口的第三缘离第二开口近的位置，第二开口的第二缘位于比第四开口的第四缘离第一开口近的位置，源极区域的一部分与绝缘层重叠，漏极区域的一部分与绝缘层重叠。

技术领域

本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

关于高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor：HEMT)，提出了用于减小表示源电极和漏电极与二维电子气(two dimensional gas：2DEG)之间的合计电阻分量的接触电阻的方法。在该方法中，在电子供给层和电子渡越层形成开口，在开口内使以高浓度含有n型杂质的GaN(n⁺GaN)层再生长，在n⁺GaN层(再生长层)之上形成源电极、漏电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019－125600号公报

专利文献2：美国专利第9515161号说明书

在通过以往的方法来形成开口和再生长层的情况下，有时难以控制再生长层的形状。

发明内容

本公开的目的在于，提供易于控制再生长层的形状的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

本公开的半导体装置具有：基板，具备第一主面；半导体层，设于所述基板的所述第一主面之上；绝缘层，设于所述半导体层之上；源电极和漏电极，设于所述半导体层之上；以及栅电极，设于所述绝缘层之上，所述半导体层具有：电子渡越层，设于所述基板的上方，具备第一上表面；以及电子供给层，设于所述电子渡越层的上方，在所述电子供给层和所述电子渡越层形成有第一开口和第二开口，在所述绝缘层形成有与所述第一开口相连的第三开口和与所述第二开口相连的第四开口，所述第一开口具有所述第二开口侧的第一缘，所述第二开口具有所述第一开口侧的第二缘，所述第三开口具有所述第四开口侧的第三缘，所述第四开口具有所述第三开口侧的第四缘，所述第一开口的底和所述第二开口的底位于比所述第一上表面朝向所述基板侧更深的位置，所述半导体层还具有：源极区域，含有第一导电类型的杂质，设于所述第一开口内；以及漏极区域，含有所述第一导电类型的杂质，设于所述第二开口内，所述源电极设于所述源极区域之上，所述漏电极设于所述漏极区域之上，在从与所述第一主面垂直的方向的俯视观察下，所述第一开口的所述第一缘位于比所述第三开口的所述第三缘离所述第二开口近的位置，所述第二开口的所述第二缘位于比所述第四开口的所述第四缘离所述第一开口近的位置，所述源极区域的一部分与所述绝缘层重叠，所述漏极区域的一部分与所述绝缘层重叠。

发明效果

根据本公开，能易于控制作为再生长层的源极区域和漏极区域的形状。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的剖视图。

图2是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其一)。

图3是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其二)。

图4是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其三)。

图5是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其四)。

图6是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其五)。