[发明专利]充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构及方法有效
| 申请号： | 202210845254.8 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN114910690B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陈浩;张航鲜;周江云;吴刚 | 申请（专利权）人： | 成都市易冲半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G06F9/30 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 舒盛 |
| 地址： | 610000 四川省成都市天府新区中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构及方法，所述修调结构包括寄存器、系统电压、主功率管Main FET、采样管Sense FET1，采样管Sense FET2、电流采样电路和恒定电流管理电路；电流采样电路包括电流采样运放CSA、采样电阻Rsns、采样电阻Rsns1、采样电阻Rsns2、NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp1、PMOS管Mp2和采样选择电路；恒定电流管理电路包括误差放大器EA和驱动器；误差放大器EA内部以及采样电阻Rsns的一端均设置有修调电路；修调电路受控于寄存器registor输出的修调码。本发明可以在较宽的输出电流范围实现高精度。 | ||
| 搜索关键词： | 充电 控制 芯片 电流 高精度 采样系统 复用修调 结构 方法 | ||
【主权项】：
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