[发明专利]充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构及方法

说明书

本发明提供一种充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构及方法，所述修调结构包括寄存器、系统电压、主功率管Main FET、采样管Sense FET1，采样管Sense FET2、电流采样电路和恒定电流管理电路；电流采样电路包括电流采样运放CSA、采样电阻Rsns、采样电阻Rsns1、采样电阻Rsns2、NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp1、PMOS管Mp2和采样选择电路；恒定电流管理电路包括误差放大器EA和驱动器；误差放大器EA内部以及采样电阻Rsns的一端均设置有修调电路；修调电路受控于寄存器registor输出的修调码。本发明可以在较宽的输出电流范围实现高精度。

技术领域

本发明涉及充电控制芯片技术领域，具体而言，涉及一种充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构及方法。

背景技术

锂离子电池广泛的应用于各种便携式设备中，与之相关的充电控制芯片拥有巨大的市场潜力，因此充电控制芯片的设计热度越来越高，其中，高精度电流的设计是其中的一大难点。

充电电流对电池寿命有着巨大的影响，大电流可以降低充电时间，保证充电效率，但同样带来电池寿命减少的问题，因此，高精度的充电电流是充电控制芯片设计的关键。另外，随着消费类电子产品出现的巨大市场空间，充电控制芯片兼容不同的应用场景尤为重要，充电控制芯片需要输出不同的电流。基于以上两点，宽输出范围的高精度电流设计成为了市场的急切需求。

发明内容

本发明旨在提供一种充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构及方法，以在较宽的输出电流范围实现高精度。

本发明提供的一种充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构，包括寄存器registor、系统电压Vsys、主功率管Main FET、采样管Sense FET1，采样管Sense FET2、电流采样电路Current Sense和恒定电流管理电路CCRegulation；所述电流采样电路CurrentSense包括：电流采样运放CSA、采样电阻Rsns、采样电阻Rsns1、采样电阻Rsns2、NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp1、PMOS管Mp2和采样选择电路CSA_output_sel；所述恒定电流管理电路CCRegulation包括误差放大器EA和驱动器driver；所述误差放大器EA内部以及采样电阻Rsns的一端均设置有修调电路；所述修调电路受控于寄存器registor输出的修调码；