[发明专利]充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构及方法

权利要求书

1.一种充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构，其特征在于，包括寄存器registor、系统电压Vsys、主功率管Main FET、采样管Sense FET1，采样管Sense FET2、电流采样电路Current Sense和恒定电流管理电路CCRegulation；所述电流采样电路CurrentSense包括：电流采样运放CSA、采样电阻Rsns、采样电阻Rsns1、采样电阻Rsns2、NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp1、PMOS管Mp2和采样选择电路CSA_output_sel；所述恒定电流管理电路CCRegulation包括误差放大器EA和驱动器driver；所述误差放大器EA内部以及采样电阻Rsns的一端均设置有修调电路；所述修调电路受控于寄存器registor输出的修调码；

主功率管Main FET的源极连接系统电压Vsys；主功率管Main FET的栅极连接驱动器driver的输出端；主功率管Main FET的漏极一方面经充电电池接地，漏极与充电电池之间的连接点vbat，连接点vbat还连接电流采样运放CSA的第一负输入端inn1，另一方面连接采样电阻Rsns1和采样电阻Rsns2的一端；采样电阻Rsns2的另一端一方面连接电流采样运放CSA的第二负输入端inn2，另一方面连接NMOS管Mn2的源极；采样管Sense FET1的源极接系统电压Vsys；采样管Sense FET1的栅极连接驱动器driver的输出端；采样管Sense FET1的漏极一方面连接电流采样运放CSA的第一正输入端inp1，另一方面连接NMOS管Mn1的漏极；采样管Sense FET2的源极连接系统电压Vsys；采样管Sense FET2的栅极连接驱动器driver的输出端；采样管Sense FET2的漏极一方面连接采样电阻Rsns1的另一端，另一方面连接电流采样运放CSA的第二正输入端inp2；NMOS管Mn1的栅极连接电流采样运放CSA的第一输出端outH，NMOS管Mn1的源极连接采样选择电路CSA_output_sel的第一活动端；NMOS管Mn2的栅极连接电流采样运放CSA的第二输出端outL，NMOS管Mn2的漏极分别连接PMOS管Mp1的栅极和漏极以及PMOS管Mp2的栅极；PMOS管Mp1的源极和PMOS管Mp2的源极连接电源Vcc；PMOS管Mp2的漏极连接采样选择电路CSA_output_sel的第二活动端；采样选择电路CSA_output_sel的固定端一方面依次经一个修调电路和采样电阻Rsns接地，另一方面连接误差放大器EA的正输入端；误差放大器EA的负输入端连接基准电压vref_dac；误差放大器EA的输出端连接驱动器driver的输入端。

2.根据权利要求1所述的充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构，其特征在于，所述误差放大器EA包括PMOS管M1、PMOS管M2、电阻R1、电阻R2和比较器U1；

PMOS管M1的源极和PMOS管M2的源极连接电源；PMOS管M1的栅极连接基准电压vref_dac；PMOS管M2的栅极连接采样选择电路CSA_output_sel的固定端；PMOS管M1的漏极一方面依次经电阻R1和一个修调电路接地，另一方面连接比较器U1的正输入端；PMOS管M2的漏极一方面依次经电阻R2和一个修调电路接地，另一方面连接比较器U1的负输入端；电阻R1与电阻R2的阻值相等。

3.根据权利要求2所述的充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构，其特征在于，所述修调电路包括串联的开关sw1、开关sw2和开关sw3以及串联的第一电阻、第二电阻和第三电阻；第一电阻阻值为R、第二电阻阻值为2R、第三电阻阻值为4R；开关sw1和开关sw2之间的连接点与第一电阻和第二电阻之间的连接点连接；开关sw2和开关sw3之间的连接点与第二电阻和第三电阻之间的连接点连接。