[发明专利]太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 202210826352.7 | 申请日： | 2022-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN115172523A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 万义茂;柯益萍;陈文浩;于元元;邱杨海粟;陈鹏辉;刘琦;陈炎 | 申请（专利权）人： | 东方日升新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 吕露 |
| 地址： | 315600 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及光伏领域，涉及一种太阳能电池的制备方法。该方法，包括：在制绒后的硅片上沉积掺硼非晶硅薄膜层；利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区；对硅片在800℃‑1100℃进行硼扩散，以使发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区。然后去除硅片背面的硼掺杂层和绕扩；在硅片背面形成隧穿氧化层和掺杂非晶硅层；对硅片退火，以使掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅；在硅片正背面形成钝化层；进行丝网印刷。本申请创造性地提出了一种新的获得选择性发射极SE结构的方法，该方法不需要多次将硅片置于管式炉中利用溴化硼等进行硼扩，也不需要制作掩膜、去除掩膜，制备工艺简单，制得的SE结构性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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