[发明专利]太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 202210826352.7 | 申请日： | 2022-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN115172523A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 万义茂;柯益萍;陈文浩;于元元;邱杨海粟;陈鹏辉;刘琦;陈炎 | 申请（专利权）人： | 东方日升新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 吕露 |
| 地址： | 315600 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在制绒后的硅片上沉积掺硼非晶硅薄膜层；
利用激光在所述掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区；
对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散，以使所述发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区；
去除硅片背面的硼掺杂层和绕扩；
在硅片背面形成隧穿氧化层和掺杂非晶硅层；
对硅片退火，以使所述掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅；
在硅片正背面形成钝化层；
进行丝网印刷。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掺硼非晶硅薄膜层的厚度10nm-120nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光的功率为10W-100W。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光的速度为200mm/s-80000mm/s。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光的频率为200kHz-600kHz。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光的波长为200nm-1100nm。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，
所述对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散的步骤，包括：
对硅片在800℃-1100℃高温推进；可选地，氧气流量为0-30000sccm；可选地，氮气流量为0-30000sccm，可选地，高温推进时间为10min-180min。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对硅片在800℃-1100℃高温推进是在管式设备中进行。
9.根据权利要求1-8任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，
所述制备方法还包括：
对硅片进行RCA清洗的步骤；所述对硅片进行RCA清洗的步骤在所述利用激光在所述掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区步骤之后，且在所述对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散的步骤之前。
10.根据权利要求1-8任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，
所述制绒后的硅片的制备方法包括：
将硅片制绒获得倒金字塔结构，可选地，制绒后所述硅片减重0.3g-0.5g，可选地，制绒后的所述硅片的反射率8％-10％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
