[发明专利]太阳能电池的制备方法

说明书

本申请涉及光伏领域，涉及一种太阳能电池的制备方法。该方法，包括：在制绒后的硅片上沉积掺硼非晶硅薄膜层；利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区；对硅片在800℃‑1100℃进行硼扩散，以使发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区。然后去除硅片背面的硼掺杂层和绕扩；在硅片背面形成隧穿氧化层和掺杂非晶硅层；对硅片退火，以使掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅；在硅片正背面形成钝化层；进行丝网印刷。本申请创造性地提出了一种新的获得选择性发射极SE结构的方法，该方法不需要多次将硅片置于管式炉中利用溴化硼等进行硼扩，也不需要制作掩膜、去除掩膜，制备工艺简单，制得的SE结构性能优异。

技术领域

本申请涉及光伏领域，具体而言，涉及一种太阳能电池的制备方法。

背景技术

随着传统资源的日益枯竭，新型可替代能源—太阳能电池以其自身绿色、安全及可再生能力的优势，得到了长足发展，目前太阳能电池光伏发电早已十分成熟。随着光伏技术日新月异的发展，N型电池以光致衰减低，稳定性好,双面发电等优良受到了行业的热捧，其中N型电池已经在行业里各个头部公司陆续量产。SE(选择性发射极Selective Emitter，简称SE)结构通过在电极接触部分进行重掺杂，在电极之间进行轻掺杂，实现对发射区的优化，这样可以降低扩散层的复合，减少前金属电极与硅片的接触电阻，以增加太阳能电池的输出电流和电压，已在P型电池上成熟的量产，但由于硼在硅中的溶解度问题，N型电池无法与P型电池一样直接在PSG上进行激光掺杂，相较于传统的单一硼扩散工艺，硼扩SE技术可以提高转换效率0.2％以上，所以开发新量产的硼扩SE技术是有必要的。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种太阳能电池的制备方法。

本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括：

在制绒后的硅片上沉积掺硼非晶硅薄膜层；

利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区；

对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散，以使发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区；

去除硅片背面的硼掺杂层和绕扩；

在硅片背面形成隧穿氧化层和掺杂非晶硅层；

对硅片退火，以使掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅；

在硅片正背面形成钝化层；

进行丝网印刷。

本申请创造性地提出了一种新的获得选择性发射极SE结构的方法，该方法不需要多次将硅片置于管式炉中利用溴化硼等进行硼扩，也不需要制作掩膜、去除掩膜，制备工艺简单，制得的SE结构性能优异。

在本申请一些实施方式中，采用本申请方法能够形成选择性发射极，SE结构。重扩区方阻在20Ω/sq-100Ω/sq，轻扩区方阻在150Ω/sq-600Ω/sq。

在本申请的其他实施例中，上述的掺硼非晶硅薄膜层的厚度10nm-120nm。

在本申请的其他实施例中，上述的激光的功率为10W-100W；可选地，激光的速度为200mm/s-80000mm/s；可选地，激光的频率为200kHz-600kHz；可选地，激光的波长为200nm-1100nm。

在本申请的其他实施例中，上述的对硅片在800℃-1100℃进行硼扩散步骤，包括：

对硅片在800℃-1100℃高温推进；可选地，氧气流量为0-30000sccm；可选地，氮气流量为0-30000sccm，可选地，高温推进时间为10min-180min。

在本申请的其他实施例中，上述的对硅片在800℃-1100℃高温推进是在管式设备中进行。

在本申请的其他实施例中，上述的制备方法还包括：