[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210811739.5 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115696913A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李钟旼 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10N97/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，可以包括单元电容器和去耦电容器，单元电容器包括第一下电极、第一上支撑层图案、第一介电层和第一上电极，去耦电容器包括第二下电极、第二上支撑层图案、第二介电层和第二上电极。第一下电极和第二下电极可以在六边形的每个顶点和六边形的中心处分别被布置为蜂窝图案。第一上支撑层图案可以连接到第一下电极的上侧壁。第一上支撑层图案可以与限定第一开口的第一板相对应。第二上支撑层图案可以连接到第二电极的上侧壁。第二上支撑层图案可以与限定第二开口的第二板相对应，第二开口具有与第一开口的形状不同的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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