[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

单元电容器，位于基板的存储单元区域上，所述单元电容器包括多个第一下电极、第一上支撑层图案、第一介电层和第一上电极；以及

去耦电容器，位于所述基板的去耦电容器区域上，所述去耦电容器包括多个第二下电极、第二上支撑层图案、第二介电层和第二上电极，

其中，所述多个第一下电极和所述多个第二下电极分别被布置为蜂窝图案，所述蜂窝图案布置在六边形的每个顶点和所述六边形的中心处，

所述多个第一下电极和所述多个第二下电极与沿第一方向延伸的行相对应，并且所述行中的每一行被布置在与所述第一方向垂直的第二方向上，

所述第一上支撑层图案连接到所述多个第一下电极的上侧壁，所述第一上支撑层图案在所述多个第一下电极之间，并且所述第一上支撑层图案与限定第一开口的第一板相对应，其中所述多个第一下电极中的所有第一下电极被所述第一开口部分地暴露，

所述第二上支撑层图案连接到所述多个第二下电极的上侧壁，所述第二上支撑层图案在所述多个第二下电极之间，并且所述第二上支撑层图案与限定第二开口的第二板相对应，其中所述多个第二下电极中的一些第二下电极被所述第二开口部分地暴露，并且所述多个第二下电极中的一些第二下电极未被所述第二开口暴露。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一开口之一暴露布置在多个相邻行中的四个第一下电极，并且所述第一开口中的每一个在平面图中具有椭圆形形状。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一开口之一暴露布置在两个相邻行中的四个第一下电极，并且所述第一开口中的每一个在平面图中具有长轴在倾斜于所述第一方向的倾斜方向上的椭圆形形状。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一开口之一暴露布置在三个相邻行中的四个第一下电极，并且所述第一开口中的每一个在平面图中具有长轴在所述第二方向上的椭圆形形状。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二开口之一暴露布置在多个相邻行中的多个第二下电极。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二开口之一暴露布置在两个相邻行中的三个第二下电极，并且所述第二开口中的每一个在平面图中具有圆形形状。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二开口之一暴露布置在两个相邻行中的多个第二下电极，并且所述第二开口中的每一个具有以所述第一方向为长度方向的矩形形状。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，多行所述多个第二下电极中的一些行包括被所述第二开口暴露的暴露的第二下电极和未被所述第二开口暴露的未暴露的第二下电极，并且

所述暴露的第二下电极和所述未暴露的第二下电极交替重复地布置。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相邻的第一开口在所述第一方向上平行地布置，并且所述相邻的第一开口在所述第二方向上非平行地布置。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相邻的第二开口在所述第一方向上平行地布置，并且所述相邻的第二开口在所述第二方向上非平行地布置。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二下电极的底部接触公共电极。