[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件，可以包括单元电容器和去耦电容器，单元电容器包括第一下电极、第一上支撑层图案、第一介电层和第一上电极，去耦电容器包括第二下电极、第二上支撑层图案、第二介电层和第二上电极。第一下电极和第二下电极可以在六边形的每个顶点和六边形的中心处分别被布置为蜂窝图案。第一上支撑层图案可以连接到第一下电极的上侧壁。第一上支撑层图案可以与限定第一开口的第一板相对应。第二上支撑层图案可以连接到第二电极的上侧壁。第二上支撑层图案可以与限定第二开口的第二板相对应，第二开口具有与第一开口的形状不同的形状。

相关申请的交叉引用

本申请要求2021年7月27日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2021-0098483的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

一些示例实施例涉及一种半导体器件。更具体地，各种示例实施例涉及包括电容器的DRAM(动态随机存取存储器)器件。

背景技术

DRAM器件可以包括存储单元和外围电路。在DRAM器件中，存储单元可以包括晶体管和单元电容器，并且外围电路可以包括去耦电容器。在DRAM器件中，包括在存储单元中的电容器和包括在外围电路中的去耦电容器不应有缺陷。

发明内容

一些示例实施例提供了一种包括电容器的半导体器件，该电容器具有高电容并且具有减少的缺陷量和/或缺陷的影响。

根据一些示例实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括单元电容器和去耦电容器，单元电容器位于基板的存储单元区域上，去耦电容器位于基板的去耦电容器区域上。单元电容器可以包括多个第一下电极、第一上支撑层图案、第一介电层和第一上电极。去耦电容器可以包括多个第二下电极、第二上支撑层图案、第二介电层和第二上电极。多个第一下电极和多个第二下电极可以分别以蜂窝图案布置在相连的六边形的每个顶点和该六边形的中心处。多个第一下电极和多个第二下电极可以沿第一方向布置成行，并且这些行中的每一行可以在与第一方向垂直的第二方向上。第一上支撑层图案可以连接到第一下电极的上侧壁。第一上支撑层图案可以在第一下电极之间，并且第一上支撑层图案可以与限定第一开口的第一板相对应。所有第一下电极可以被第一开口部分地暴露。第二上支撑层图案可以连接到第二下电极的上侧壁。第二上支撑层图案可以在第二下电极之间，并且第二上支撑层图案可以与限定第二开口的第二板相对应。第二下电极中的一些下电极可以被第二开口部分地暴露，并且第二下电极中的一些下电极可以不被第二开口暴露。

根据一些示例实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括基板、单元下部结构、公共电极、多个第一下电极、第一上支撑层图案、第一介电层、第一上电极、多个第二下电极、第二上支撑层图案，以及第二介电层和第二上电极。基板包括存储单元区域和去耦电容器区域。单元下部结构可以包括多个位线结构、多个接触插塞和多个焊盘电极，其中多个位线结构、多个接触插塞和多个焊盘电极在基板的存储单元区域上。公共电极可以位于基板的去耦电容器区域上。多个第一下电极可以分别位于多个焊盘电极上。第一下电极可以为蜂窝图案，该蜂窝图案布置在相连的六边形的每个顶点和该六边形的中心处。第一上支撑层图案可以连接到第一下电极的上侧壁。第一上支撑层图案可以在多个第一下电极之间。第一上支撑层图案可以与限定第一开口的第一板相对应。第一介电层和第一上电极可以位于第一下电极和第一上支撑层的表面上。第二下电极可以位于公共电极上。第二下电极被布置为蜂窝结构。第二上支撑层图案可以连接到第二下电极的上侧壁。第二上支撑层图案可以在多个第二下电极之间。第二上支撑层图案可以与限定第二开口的第二板相对应，第二开口不同于第一开口。第二介电层和第二上电极可以位于第二下电极和第二上支撑层图案的表面上。第一下电极和第二下电极可以沿第一方向布置成行。这些行中的每一行可以布置在与第一方向垂直的第二方向上。多个第二下电极可以包括被第二开口暴露的暴露的下电极和未被第二开口暴露的未暴露的下电极。