[发明专利]分栅式闪存的制造方法

摘要

本发明提供了一种分栅式闪存的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有开口；在所述开口的侧壁形成第一侧墙，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅；在两个所述浮栅之间形成擦除栅；以及，去除所述硬掩膜层，并在所述第一侧墙的远离所述浮栅一侧的侧壁上形成字线。本发明将第一侧墙的制备步骤调整至开口的形成之后，即，先形成开口，再在所述开口的侧壁上形成第一侧墙，可通过控制开口的侧壁的垂直度从而控制第一侧墙的侧壁的垂直度，无需再在第一侧壁的侧墙上形成额外的氮化层，有利于确保所述第一侧墙覆盖所述开口一侧的侧壁平直且底角处无拖尾现象，从而减少或避免了字线的实际长度减小。