[发明专利]分栅式闪存的制造方法

说明书

本发明提供了一种分栅式闪存的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有开口；在所述开口的侧壁形成第一侧墙，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅；在两个所述浮栅之间形成擦除栅；以及，去除所述硬掩膜层，并在所述第一侧墙的远离所述浮栅一侧的侧壁上形成字线。本发明将第一侧墙的制备步骤调整至开口的形成之后，即，先形成开口，再在所述开口的侧壁上形成第一侧墙，可通过控制开口的侧壁的垂直度从而控制第一侧墙的侧壁的垂直度，无需再在第一侧壁的侧墙上形成额外的氮化层，有利于确保所述第一侧墙覆盖所述开口一侧的侧壁平直且底角处无拖尾现象，从而减少或避免了字线的实际长度减小。

技术领域

本发明涉及集成制造技术领域，尤其涉及一种分栅式闪存的制造方法。

背景技术

闪存器件作为一种非易失性存储器，具有便捷、存储密度高、可靠性强等特点，应用广泛。现有的闪存器件的结构通常包括分栅结构、叠栅结构或其组合，其中，分栅式闪存器件具有编程效率高的特点。

然而，在现有的闪存器件的制造工艺中，由于浮栅与字线之间的二氧化硅侧墙在刻蚀之后底部会出现拖尾现象(如图4中A所表示的部分)，导致字线的实际长度变短(图4中B1为所述字线的实际长度，B2为所述字线的设计长度)，从而影响所述闪存器件的性能。

鉴于此，本发明提供一种方法减少或避免第一侧墙的底部出现拖尾现象，从而避免字线的实际长度减小。

发明内容

本发明的目的在于提供一种分栅式闪存的制造方法，减少或避免第一侧墙的底角处出现拖尾现象，从而避免字线的实际长度减小。

为了达到上述目的，本发明提供了一种分栅式闪存的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有开口；

在所述开口的侧壁形成第一侧墙，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅；

在两个所述浮栅之间形成擦除栅；以及，

去除所述硬掩膜层，并在所述第一侧墙的远离所述浮栅一侧的侧壁上形成字线。

可选的，采用干法刻蚀工艺去除所述硬掩膜层。

可选的，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅的过程包括：

在所述开口内形成浮栅材料层，且所述浮栅材料层的表面低于所述硬掩膜层的表面；

在所述开口的侧壁上形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的侧壁及所述浮栅材料层的部分表面；

以所述硬掩膜层和所述第二侧墙为掩模刻蚀所述浮栅材料层，以形成相互分离的两个浮栅，并使所述开口暴露所述衬底。

可选的，形成表面低于所述硬掩膜层的所述浮栅材料层的过程包括：

在所述开口内填充浮栅材料层，并延伸覆盖所述开口两侧的硬掩膜层；

对所述浮栅材料层进行平坦化处理，使所述浮栅材料层的表面与所述硬掩膜层的表面齐平；

刻蚀所述浮栅材料层，以使所述浮栅材料层的表面低于所述硬掩膜层的表面。

可选的，形成所述擦除栅的过程包括：

在所述开口的侧壁及底部形成隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖所述开口暴露的衬底，以及所述浮栅和所述第二侧墙的远离所述第一侧墙一侧的侧壁；

在所述开口内填充多晶硅以形成所述擦除栅。

可选的，在形成所述浮栅之后，形成所述隧穿氧化层之前，还包括：

在所述开口暴露的衬底内形成源区。