[发明专利]分栅式闪存的制造方法

权利要求书

1.一种分栅式闪存的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有开口；

在所述开口的侧壁形成第一侧墙，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅；

在两个所述浮栅之间形成擦除栅；以及，

去除所述硬掩膜层，并在所述第一侧墙的远离所述浮栅一侧的侧壁上形成字线。

2.如权利要求1所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述硬掩膜层。

3.如权利要求1所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅的过程包括：

在所述开口内形成浮栅材料层，且所述浮栅材料层的表面低于所述硬掩膜层的表面；

在所述开口的侧壁上形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的侧壁及所述浮栅材料层的部分表面；

以所述硬掩膜层和所述第二侧墙为掩模刻蚀所述浮栅材料层，以形成相互分离的两个浮栅，并使所述开口暴露所述衬底。

4.如权利要求3所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，形成表面低于所述硬掩膜层的所述浮栅材料层的过程包括：

在所述开口内填充浮栅材料层，并延伸覆盖所述开口两侧的硬掩膜层；

对所述浮栅材料层进行平坦化处理，使所述浮栅材料层的表面与所述硬掩膜层的表面齐平；

刻蚀所述浮栅材料层，以使所述浮栅材料层的表面低于所述硬掩膜层的表面。

5.如权利要求3所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，形成所述擦除栅的过程包括：

在所述开口的侧壁及底部形成隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖所述开口暴露的衬底，以及所述浮栅和所述第二侧墙的远离所述第一侧墙一侧的侧壁；

在所述开口内填充多晶硅以形成所述擦除栅。

6.如权利要求5所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，在形成所述浮栅之后，形成所述隧穿氧化层之前，还包括：

在所述开口暴露的衬底内形成源区。

7.如权利要求3所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，在形成所述字线之后，还包括：

在所述字线的远离所述第一侧墙一侧的侧壁上形成第三侧墙。

8.如权利要求7中述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，在形成所述第三侧墙之后，还包括：

在所述字线的远离所述第一侧墙一侧的衬底内形成漏区。

9.如权利要求8所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙、所述第二侧墙和所述第三侧墙均为氧化层。

10.如权利要求1所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，所述字线与所述衬底之间还形成有栅氧化层。