[发明专利]有源区电阻的测试结构和测试方法在审
| 申请号： | 202210713439.3 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115116875A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 孔为行;薛培堃;陈明志 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有源区电阻的测试结构包括：有源区电阻，设置在有源区电阻第一端的第一和第二接触孔和第二端的第三和第四接触孔，第一至第四接触孔分别连接第一至第四衬垫。第一和第二衬垫之间、第三和第四衬垫之间、第一和第三衬垫之间、第二和第四衬垫之间、第一和第四衬垫之间和第二和第三衬垫之间分别形成第一至第六组电阻的测试端口。有源区电阻的测量值为由第三和第四组电阻的和或者第五和第六组电阻的和减去第一和第二组电阻的和得到的差值的一半。本发明还提供一种有源区电阻的测试方法。本发明能提高有源区电阻的测量精度。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 电阻 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
