[发明专利]有源区电阻的测试结构和测试方法在审
申请号: | 202210713439.3 | 申请日: | 2022-06-22 |
公开(公告)号: | CN115116875A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 孔为行;薛培堃;陈明志 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544;G01R27/02 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 电阻 测试 结构 方法 | ||
本发明公开了一种有源区电阻的测试结构包括:有源区电阻,设置在有源区电阻第一端的第一和第二接触孔和第二端的第三和第四接触孔,第一至第四接触孔分别连接第一至第四衬垫。第一和第二衬垫之间、第三和第四衬垫之间、第一和第三衬垫之间、第二和第四衬垫之间、第一和第四衬垫之间和第二和第三衬垫之间分别形成第一至第六组电阻的测试端口。有源区电阻的测量值为由第三和第四组电阻的和或者第五和第六组电阻的和减去第一和第二组电阻的和得到的差值的一半。本发明还提供一种有源区电阻的测试方法。本发明能提高有源区电阻的测量精度。
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种有源区电阻的测试结构。本发明还涉及一种有源区电阻的测试方法。
背景技术
如图1所示,是现有有源区电阻的测试结构的结构图;现有有源区电阻的测试结构包括:
有源区电阻101,所述有源区电阻101由形成于有源区中的掺杂区组成。
在所述有源区电阻101的第一端设置有接触孔102a。
在所述有源区电阻101的第二端设置有接触孔102b。
所述接触孔102a连接到衬垫103a,所述接触孔102b连接到衬垫103b。图1中,衬垫103a也采用pad1表示,衬垫103b也采用pad2表示。
图1中,由所述衬垫103a和所述衬垫103b形成电阻的测试端口并用于测试得到所述有源区电阻101的电阻值。
根据所述有源区电阻101的电阻值乘以所述有源区电阻101的宽度和长度的比值即可得到所述有源区电阻101的方块电阻。根据图1所示可知,所述有源区电阻101的方块电阻的公式为:
RS=(R1+RC1+R+RC2+R2)*W/L 公式(101);
其中,RS表示所述有源区电阻101的方块电阻,W表示所述有源区电阻101的宽度,L表示所述有源区电阻101的长度;
R1表示衬垫103a的寄生电阻,R2表示衬垫103b的寄生电阻;
RC1表示接触孔102a的寄生电阻,RC2表示接触孔102b的寄生电阻;
R表示所述有源区电阻。
由于测试电路电阻和接触孔(CT)的寄生电阻RC的存在,采用图1所示的现有测试结构进行测量会导致测量结果不准确。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种有源区电阻的测试结构,能提供多组测试端口并通过对多组测试端口的测试得到有源区电阻的测量值且能消除接触孔以及连线的寄生电阻对有源区电阻的测量值的影响,从而能提高有源区电阻的测量精度。为此,本发明还提供一种有源区电阻的测试方法。
为解决上述技术问题,本发明提供的有源区电阻的测试结构包括:
有源区电阻,所述有源区电阻由形成于有源区中的掺杂区组成。
在所述有源区电阻的第一端设置有第一接触孔和第二接触孔。
在所述有源区电阻的第二端设置有第三接触孔和第四接触孔。
所述第一接触孔连接到第一衬垫,所述第二接触孔连接到第二衬垫,所述第三接触孔连接到第三衬垫,所述第四接触孔连接到第四衬垫。
所述第一衬垫和所述第二衬垫之间形成第一组电阻的测试端口并用于测试得到所述第一组电阻。
所述第三衬垫和所述第四衬垫之间形成第二组电阻的测试端口并用于测试得到所述第二组电阻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造