[发明专利]有源区电阻的测试结构和测试方法

权利要求书

1.一种有源区电阻的测试结构，其特征在于，包括：

有源区电阻，所述有源区电阻由形成于有源区中的掺杂区组成；

在所述有源区电阻的第一端设置有第一接触孔和第二接触孔；

在所述有源区电阻的第二端设置有第三接触孔和第四接触孔；

所述第一接触孔连接到第一衬垫，所述第二接触孔连接到第二衬垫，所述第三接触孔连接到第三衬垫，所述第四接触孔连接到第四衬垫；

所述第一衬垫和所述第二衬垫之间形成第一组电阻的测试端口并用于测试得到所述第一组电阻；

所述第三衬垫和所述第四衬垫之间形成第二组电阻的测试端口并用于测试得到所述第二组电阻；

所述第一衬垫和所述第三衬垫之间形成第三组电阻的测试端口并用于测试得到所述第三组电阻；

所述第二衬垫和所述第四衬垫之间形成第四组电阻的测试端口并用于测试得到所述第四组电阻；

所述第一衬垫和所述第四衬垫之间形成第五组电阻的测试端口并用于测试得到所述第五组电阻；

所述第二衬垫和所述第三衬垫之间形成第六组电阻的测试端口并用于测试得到所述第六组电阻；

所述有源区电阻的测量值为由所述第三组电阻和所述第四组电阻的和减去所述第一组电阻和所述第二组电阻的和得到的差值的一半；或者，所述有源区电阻的测量值为由所述第五组电阻和所述第六组电阻的和减去所述第一组电阻和所述第二组电阻的和得到的差值的一半。

2.如权利要求1所述的有源区电阻的测试结构，其特征在于：所述有源区由形成于半导体衬底中的场氧环绕而成。

3.如权利要求2所述的有源区电阻的测试结构，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

4.如权利要求2所述的有源区电阻的测试结构，其特征在于：所述场氧为浅沟槽隔离或者局部场氧。

5.如权利要求2所述的有源区电阻的测试结构，其特征在于：所述有源区电阻的掺杂区为N型掺杂区或者为P型掺杂区。

6.如权利要求1所述的有源区电阻的测试结构，其特征在于：所述第一接触孔、所述第二接触孔、所述第三接触孔、所述第四接触孔、所述第一衬垫、所述第二衬垫、所述第三衬垫和所述第四衬垫都具有寄生电阻，所述有源区电阻的测量值中消除了所述第一接触孔、所述第二接触孔、所述第三接触孔、所述第四接触孔、所述第一衬垫、所述第二衬垫、所述第三衬垫和所述第四衬垫的寄生电阻。

7.如权利要求2所述的有源区电阻的测试结构，其特征在于：在所述半导体衬底表面形成有层间膜，所述第一接触孔、所述第二接触孔、所述第三接触孔、所述第四接触孔都穿过所述层间膜；

所述第一衬垫、所述第二衬垫、所述第三衬垫和所述第四衬垫都形成于所述层间膜的表面。