[发明专利]一种提高PSR性能的无片外电容LDO有效
| 申请号： | 202210650601.1 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN114967811B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 明鑫;邝建军;熊进;王卓;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于电源管理技术领域，具体的说是涉及一种提高PSR性能的无片外电容LDO。本发明在LDO电路中增加了电源纹波前馈电路，在LDO主体电路的基础上加上了一颗额外的前馈电容，其大小等于密勒补偿电容，前馈电容与误差放大器的有源负载共同组成了电源纹波前馈电路，利用电源纹波前馈电路，阻断传统无片外电容LDO中由于功率管栅源电源噪声电压不一致导致的电源纹波通过功率管泄漏到输出的路劲，从而提升LDO的中高频的PSR性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 psr 性能 外电 ldo | ||
【主权项】：
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