[发明专利]一种提高PSR性能的无片外电容LDO有效
| 申请号： | 202210650601.1 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN114967811B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 明鑫;邝建军;熊进;王卓;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 psr 性能 外电 ldo | ||
1.一种提高PSR性能的无片外电容LDO，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和电流源；其中，第一PMOS管的源极接电源，其栅极接第二PMOS管的栅极、第一电容的一端、第二电容的一端、第四PMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极，第一PMOS管的漏极接第二电容的另一端、第一电阻的一端和第四电容的一端；第二PMOS管的源极接电源，其漏极接第一NMOS管的漏极和栅极；第三PMOS管的源极接电源，其栅极和漏极互连，其漏极接第三电容的一端和第三NMOS管的漏极；第四PMOS管的源极接电源，其栅极接第三PMOS管的漏极；第一电容的另一端接电源，第三电容的另一端接地；第一NMOS管的栅极和漏极互连，其源极接地；第二NMOS管的漏极接第四NMOS管的源极、第三NMOS管的源极和电流源的输入端，第二NMOS管的源极接地，第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极；第三NMOS管的栅极接反馈电压；第四NMOS管的栅极接基准电压；电流源的输出端接地；第一电阻的另一端和第二电阻的一端相连并输出反馈电压；第四电容的另一端、第二电阻的另一端接地；第一PMOS管漏极与第二电容、第一电阻、第四电容的连接点为LDO的输出端；
第三PMOS管、第四PMOS管、第三电容构成电源纹波前馈结构，第三电容为前馈电容，第三电容的大小与第二电容相等，电源纹波前馈结构用于提高LDO的中高频PSR性能。
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