[发明专利]一种高透过率氧化物TFT阵列基板在审
申请号: | 202210637226.7 | 申请日: | 2022-06-07 |
公开(公告)号: | CN114924446A | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 陈宇怀 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种高透过率氧化物TFT阵列基板,包括基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、第二绝缘层、第三绝缘层、第三金属层、第四绝缘层、第一电极层、第五绝缘层、第二电极层和触控信号线,所述第一金属层设置在基板的表面,所述第一金属层可作为栅极以及驱动信号线,且栅极上设置有栅极绝缘层,所述栅极绝缘层上设置有源层;相较于现有带有内嵌式触控设计的LCD阵列基板,本发明内嵌式触控阵列基板结构更为紧凑,像素开口率较高,有利于高分辨率面板设计;且TFT源漏极分别采用不用金属层制备,使得连接漏极与像素电极的信号搭接区可以覆盖于TFT有源层上方,减少不必要遮光面积。 | ||
搜索关键词: | 一种 透过 氧化物 tft 阵列 | ||
【主权项】:
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