[发明专利]一种高透过率氧化物TFT阵列基板

权利要求书

1.一种高透过率氧化物TFT阵列基板，其特征在于：包括基板（1）、第一金属层（2）、栅极绝缘层（3）、有源层（4）、第二金属层（5）、第二绝缘层（6）、第三绝缘层（7）、第三金属层（8）、第四绝缘层（9）、第一电极层（10）、第五绝缘层（12）、第二电极层（13）和触控信号线（14），所述第一金属层（2）设置在基板（1）的表面，所述第一金属层（2）可作为栅极以及驱动信号线，且栅极上设置有栅极绝缘层（3），所述栅极绝缘层（3）上设置有源层（4），且有源层（4）上设置有第二金属层（5），所述第二绝缘层（6）设置在第二金属层（5）上，且所述第二绝缘层（6）上设置有第三绝缘层（7），所述第二绝缘层（6）和第三绝缘层（7）上均开设有位置相对应的第一通孔，且第一通孔的底端形成有漏极搭接区（15），所述第三绝缘层（7）上设置有第三金属层（8），所述第三金属层（8）的一端通过第一通孔与有源层（4）上表面接触，所述第三金属层（8）的另一端覆盖于第三绝缘层（7）上表面并设置于TFT有源层（4）沟道远离基板（1）一侧上方，所述第三金属层（8）上设置有第四绝缘层（9），所述第一电极层（10）设置在第四绝缘层（9）上，所述第三金属层（8）的另一端可作为触控信号线（14）以及公共电极信号线，所述触控信号线（14）通过第四绝缘层（9）过孔与第一电极层（10）接触，所述第一电极层（10）上设置有第五绝缘层（12），所述第四绝缘层（9）和第五绝缘层（12）上均开设有位置相对应的第二通孔，并露出第三金属层（8）表面，所述第二通孔的底端形成漏极像素信号搭接区（11），所述第二电极层（13）设置在第五绝缘层（12）上，且第二电极层（13）通过第二通孔与第三金属层（8）漏极像素信号搭接区（11）相连，漏极像素信号搭接区（11）与TFT沟道区域在基板（1）上垂直投影面重叠。

2.一种高透过率氧化物TFT阵列基板，其特征在于：包括基板（1）、第一金属层（2）、栅极绝缘层（3）、有源层（4）、第二金属层（5）、第二绝缘层（6）、第三绝缘层（7）、第三金属层（8）、第四绝缘层（9）、第一电极层（10）、第二电极层（13）和触控信号线（14），所述基板（1）表面设有第一金属层（2）作为栅极以及栅极驱动信号线，所述第一金属层（2）之上覆盖有第一绝缘层作为栅极绝缘层（3），所述栅极绝缘层（3）上设置有有源层（4），所述有源层（4）上制作有第二金属层（5），且第二金属层（5）上制作有第二绝缘层（6），所述第二绝缘层（6）上开设有第三通孔，可露出有源层（4），第三通孔的底端形成有漏极搭接区（15），所述第二绝缘层（6）上制作有第三金属层（8），且第三金属层（8）通过第三通孔与有源层（4）上表面接触，所述第三金属层（8）的另一端覆盖于第二绝缘层（6）上表面，并设置于TFT有源层（4）沟道远离基板（1）一侧上方，且第三金属层（8）的一端可作为触控信号线（14）以及公共电极信号线，所述第三金属层（8）上制备有第三绝缘层（7），所述第三绝缘层（7）上开设有第四通孔，可露出第三金属层（8），所述第三绝缘层（7）上设置有第一电极层（10），所述第一电极层（10）通过第三绝缘层（7）通孔与公共电极信号线以及触控信号线（14）相连，所述第一电极层（10）上设置有第四绝缘层（9），且所述第三绝缘层（7）和第四绝缘层（9）上均开设有位置相对应的第五通孔，可露出第三金属层（8），所述第五通孔的底端形成有漏极像素信号搭接区（11），所述第四绝缘层（9）上设置有第二电极层（13），所述第二电极层（13）通过第五通孔与漏极像素信号搭接区（11）相连。

3.根据权利要求1所述的一种高透过率氧化物TFT阵列基板，其特征在于：所述第三金属层（8）作为TFT漏极的一端设置于TFT有源层（4）沟道远离基板一侧上方，并作为漏极像素信号搭接区。

4.根据权利要求1所述的一种高透过率氧化物TFT阵列基板，其特征在于：在所述第三金属层（8）与有源层（4）接触的一侧，第三金属层（8）与有源层（4）之间还可以设有中间垫层。

5.根据权利要求1/2所述的一种高透过率氧化物TFT阵列基板，其特征在于：所述第二电极（13）在漏极像素信号搭接区（11）通过通孔与第三金属层（8）相连，此时第二电极层（13）作为像素电极，第一电极层（10）作为公共电极，不仅限于此，第一电极层（10）亦可通过通孔在漏极像素信号搭接区（11）与第三金属层（8）接触，此时第一电极层（10）作为像素电极，第二电极层（13）作为公共电极。