[发明专利]一种屏蔽栅器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210617488.7 | 申请日： | 2022-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN114927575A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王维;徐雷军;王友伟;龚飞 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电(南通)科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 覃蛟 |
| 地址： | 226000 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种屏蔽栅器件结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该屏蔽栅器件结构包括第一掺杂类型的衬底，位于衬底一侧且为第一掺杂类型的外延层，位于外延层内的沟槽，位于沟槽内壁的第一介电层，位于沟槽内的栅电极与屏蔽电极，其中，屏蔽电极位于栅电极之下，位于屏蔽电极与第一介电层之间的第二介电层，以及位于栅电极与屏蔽电极之间的电介质层。本申请提供的屏蔽栅器件结构及其制作方法具有工艺更加简单、降低了生产成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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