[发明专利]一种屏蔽栅器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210617488.7 | 申请日： | 2022-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN114927575A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王维;徐雷军;王友伟;龚飞 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电(南通)科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 覃蛟 |
| 地址： | 226000 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 器件 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种屏蔽栅器件结构，其特征在于，所述屏蔽栅器件结构包括：
第一掺杂类型的衬底；
位于所述衬底一侧且为第一掺杂类型的外延层；
位于所述外延层内的沟槽；
位于所述沟槽内壁的第一介电层；
位于所述沟槽内的栅电极与屏蔽电极，其中，所述屏蔽电极位于所述栅电极之下；
位于所述屏蔽电极与所述第一介电层之间的第二介电层；以及
位于所述栅电极与屏蔽电极之间的电介质层。
2.如权利要求1所述的屏蔽栅器件结构，其特征在于，所述第二介电层的厚度大于所述第一介电层的厚度。
3.如权利要求1所述的屏蔽栅器件结构，其特征在于，制作所述第一介电层的材料为High K材料。
4.如权利要求1所述的屏蔽栅器件结构，其特征在于，所述第一介电层包括Al2O3层，所述第二介电层包括氧化层。
5.如权利要求1所述的屏蔽栅器件结构，其特征在于，所述屏蔽栅器件结构还包括：
位于所述外延层内且为第二掺杂类型的体区，其中，所述体区与所述栅电极通过所述第一介电层隔离；
位于所述体区中且与所述沟槽相邻的源极区，其中，所述源极区为第一掺杂类型。
6.如权利要求1所述的屏蔽栅器件结构，其特征在于，所述第一介电层的厚度为
7.如权利要求1所述的屏蔽栅器件结构，其特征在于，所述第二介电层的厚度为
8.如权利要求1所述的屏蔽栅器件结构，其特征在于，所述电介质层的厚度大于所述第一介电层的厚度。
9.一种屏蔽栅器件结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供第一掺杂类型的衬底；
沿所述衬底的一侧生长第一掺杂类型的外延层；
沿所述外延层制作沟槽；
沿所述沟槽制作第一介电层；
沿所述第一介电层的表面制作第二介电层；
沿所述沟槽内沉积多晶并回刻，以在所述沟槽内保留目标厚度的多晶；
将高于所述多晶的第二介电层去除；
沿所述多晶的表面制作电介质层，以在所述沟槽底部形成屏蔽电极；
在所述沟槽内继续沉积多晶，以形成栅电极，其中，所述栅电极与所述第一介电层相连。
10.如权利要求9所述的屏蔽栅器件结构制作方法，其特征在于，在所述沟槽内继续沉积多晶，以形成栅电极的步骤之后，所述方法还包括：
沿所述外延层制作第二掺杂类型的体区，其中，所述体区与所述栅电极通过所述第一介电层隔离；
在所述体区中与沟槽相邻的位置制作第一掺杂类型的源极区。
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