[发明专利]一种基于8T-SRAM单元的电路结构、芯片和模块在审
| 申请号： | 202210564062.X | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN115035931A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 戴成虎;刘海涛;彭春雨;赵强;卢文娟;郝礼才;刘立;蔺智挺;吴秀龙;黎轩;高珊 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C11/419;G11C11/412;G06F7/575 |
| 代理公司： | 合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) 34144 | 代理人： | 方荣肖 |
| 地址： | 230022 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于8T‑SRAM单元的电路结构、芯片和模块。8T‑SRAM单元包括：NMOS晶体管N1～6；PMOS晶体管P1～2。P1、P2和N1、N2交叉耦合，对存储节点Q、QB的数据进行锁存，P1的源极与P2源极电连接到VDD，开启存储节点Q、QB节点对电源通路，N1的源极与N2的源极连接到VSS，开启存储节点Q、QB节点对地通路。存储节点Q与QB通过晶体管N4、N3分别与位线BL和BLB相连，晶体管N3、N4由字线WL控制，字线LCM、RCM通过晶体管N5、N6分别与位线SLB和SL相连，晶体管N5、N6分别由存储节点Q与QB控制。本发明能实现在存储器内部完成比较操作，提高搜索效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sram 单元 电路 结构 芯片 模块 | ||
【主权项】：
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