[发明专利]一种四阱双向的可控硅结构的快充静电浪涌防护电路

摘要

本发明涉及一种四阱双向的可控硅结构的快充静电浪涌防护电路，第一深层N阱设置在P型衬底的上方，第一深层N阱的右侧边缘与P型衬底的右侧边缘连接，第一深层N阱的左侧边缘与P型衬底的左侧边缘保留距离；第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱依次连接；第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区、第三N+注入区互不连接且保留距离。本发明通过四阱分布、深层N阱以及特殊的结构设计形成高压触发开启的可控硅结构，实现电路在24V和12V快充环境下具有占用芯片面积小，触发电压可调，抗闩锁能力强以及低寄生电容的优良抗静电放电/抗浪涌防护特性。