[发明专利]一种四阱双向的可控硅结构的快充静电浪涌防护电路

权利要求书

1.一种四阱双向的可控硅结构的快充静电浪涌防护电路，包括纵向依次排布的衬底层、阱区层、注入层，其特征在于：所述衬底层包括P型衬底（101）、第一深层N阱（102）；所述阱区层包括横向依次排布的第一N阱（103）、第一P阱（104）、第二N阱（105）、第二P阱（106）；所述注入层包括横向依次排布的第一N+注入区（107）、第一P+注入区（108）、第二P+注入区（109）、第二N+注入区（110）、第三P+注入区（111）、第三N+注入区（112）；

所述第一深层N阱（102）设置在P型衬底（101）的上方，且第一深层N阱（102）的上表面与P型衬底（101）的上表面齐平；所述第一深层N阱（102）的右侧边缘与P型衬底（101）的右侧边缘连接，第一深层N阱（102）的左侧边缘与P型衬底（101）的左侧边缘保留距离；

所述第一N阱（103）、第一P阱（104）、第二N阱（105）、第二P阱（106）依次连接；

所述第一N+注入区（107）、第一P+注入区（108）、第二P+注入区（109）、第二N+注入区（110）、第三P+注入区（111）、第三N+注入区（112）互不连接且保留距离；

所述第一N阱（103）设置在P型衬底（101）上方，且第一N阱（103）的左侧边缘与P型衬底（101）的左侧边缘连接；所述第一P阱（104）横跨设置在P型衬底（101）和第一深层N阱（102）上方，且第一P阱（104）的左侧边缘与第一N阱（103）的右侧边缘连接；所述第二N阱（105）设置在第一深层N阱（102）上方，且第二N阱（105）的左侧边缘与第一P阱（104）的右侧边缘连接；所述第二P阱（106）设置在第一深层N阱（102）上方，且第二P阱（106）的左侧边缘与第二N阱（105）的右侧边缘连接，第二P阱（106）的右侧边缘与第一深层N阱（102）的右侧边缘连接；

所述第一N阱（103）的上方从左往右依次设置了第一N+注入区（107）、第一P+注入区（108）、第二P+注入区（109），且第二P+注入区（109）横跨设置在第一N阱（103）和第一P阱（104）上方；所述第一N+注入区（107）的左侧边缘与第一N阱（103）的左侧边缘保留距离，第一N+注入区（107）的右侧边缘与第一P+注入区（108）的左侧边缘保留距离，第一P+注入区（108）的右侧边缘与第二P+注入区（109）的左侧边缘保留距离；

所述第二N阱（105）的上方设置了第二N+注入区（110），且第二N+注入区（110）横跨设置在第一P阱（104）、第二N阱（105）、第二P阱（106）上方；所述第二N+注入区（110）的左侧边缘与第二P+注入区（109）的右侧边缘保留距离；

所述第二P阱（106）的上方从左往右依次设置了第三P+注入区（111）、第三N+注入区（112）；所述第三P+注入区（111）的左侧边缘与第二N+注入区（110）的右侧边缘保留距离，第三P+注入区（111）的右侧边缘与第三N+注入区（112）的左侧边缘保留距离，第三N+注入区（112）的右侧边缘与第二P阱（106）的右侧边缘保留距离；

还包括第一金属（201）、第二金属（202）；所述第一金属（201）分别与第一N+注入区（107）、第一P+注入区（108）连接，且从第一金属（201）引出一电极作为第一应力端；所述第二金属（202）分别与第三P+注入区（111）、第三N+注入区（112）连接，且从第二金属（202）引出一电极作为第二应力端。

2.根据权利要求1所述的一种四阱双向的可控硅结构的快充静电浪涌防护电路，其特征在于：还包括第三N阱（113）；

所述第一N阱（103）设置在P型衬底（101）上方，且第一N阱（103）的左侧边缘与P型衬底（101）的左侧边缘连接；所述第一P阱（104）横跨设置在P型衬底（101）和第一深层N阱（102）上方，且第一P阱（104）的左侧边缘与第一N阱（103）的右侧边缘连接；所述第二N阱（105）设置在第一深层N阱（102）上方，且第二N阱（105）的左侧边缘与第一P阱（104）的右侧边缘连接；所述第二P阱（106）设置在第一深层N阱（102）上方，且第二P阱（106）的左侧边缘与第二N阱（105）的右侧边缘连接；所述第三N阱（113）设置在第一深层N阱（102）上方，且第三N阱（113）的左侧边缘与第二P阱（106）的右侧边缘连接，第三N阱（113）的右侧边缘与第一深层N阱（102）的右侧边缘连接。