[发明专利]纳米片晶体管器件及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202210522604.7 申请日: 2022-05-13
公开(公告)号: CN115347043A 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 洪炳鹤;宋昇炫;金基一;曹健浩;徐康一 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778;H01L21/335;B82Y10/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王新华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开提供了纳米片晶体管器件及其形成方法。纳米片晶体管器件包括晶体管堆叠,该晶体管堆叠包括具有第一纳米片宽度和下栅极宽度的下纳米片晶体管。该晶体管堆叠还包括上纳米片晶体管,该上纳米片晶体管在下纳米片晶体管上并具有分别与第一纳米片宽度和下栅极宽度不同的第二纳米片宽度和上栅极宽度。
搜索关键词: 纳米 晶体管 器件 及其 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210522604.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top