[发明专利]纳米片晶体管器件及其形成方法在审
申请号: | 202210522604.7 | 申请日: | 2022-05-13 |
公开(公告)号: | CN115347043A | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 洪炳鹤;宋昇炫;金基一;曹健浩;徐康一 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L21/335;B82Y10/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供了纳米片晶体管器件及其形成方法。纳米片晶体管器件包括晶体管堆叠,该晶体管堆叠包括具有第一纳米片宽度和下栅极宽度的下纳米片晶体管。该晶体管堆叠还包括上纳米片晶体管,该上纳米片晶体管在下纳米片晶体管上并具有分别与第一纳米片宽度和下栅极宽度不同的第二纳米片宽度和上栅极宽度。 | ||
搜索关键词: | 纳米 晶体管 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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