[发明专利]纳米片晶体管器件及其形成方法

权利要求书

1.一种纳米片晶体管器件，包括：

晶体管堆叠，包括：

下三栅极纳米片晶体管，具有第一纳米片宽度；和

上三栅极纳米片晶体管，在所述下三栅极纳米片晶体管上并具有与所述第一纳米片宽度不同的第二纳米片宽度。

2.根据权利要求1所述的纳米片晶体管器件，其中所述下三栅极纳米片晶体管包括比所述上三栅极纳米片晶体管的上栅极宽的下栅极。

3.根据权利要求2所述的纳米片晶体管器件，

其中所述下三栅极纳米片晶体管还包括多个第一纳米片，以及

其中所述上三栅极纳米片晶体管还包括与所述多个第一纳米片重叠的多个第二纳米片。

4.根据权利要求3所述的纳米片晶体管器件，

其中所述下栅极包括相对的第一侧壁和第二侧壁，

其中所述上栅极包括相对的第三侧壁和第四侧壁，

其中所述上栅极的所述第三侧壁与所述下栅极的所述第一侧壁对准，以及

其中所述上栅极的所述第四侧壁与所述多个第一纳米片重叠。

5.根据权利要求4所述的纳米片晶体管器件，

其中所述多个第一纳米片通过所述下栅极的金属与所述下栅极的所述第一侧壁间隔开，以及

其中所述多个第二纳米片通过所述上栅极的金属与所述上栅极的所述第三侧壁间隔开。

6.根据权利要求3所述的纳米片晶体管器件，

其中所述下栅极包括相对的第一侧壁和第二侧壁，

其中所述上栅极包括相对的第三侧壁和第四侧壁，

其中所述上栅极的所述第三侧壁从所述下栅极的所述第一侧壁偏移，以及

其中所述上栅极的所述第四侧壁与所述多个第一纳米片重叠。

7.根据权利要求6所述的纳米片晶体管器件，

其中所述多个第一纳米片通过所述下栅极的金属与所述下栅极的所述第二侧壁间隔开，以及

其中所述多个第二纳米片通过所述上栅极的金属与所述上栅极的所述第三侧壁间隔开。

8.根据权利要求3所述的纳米片晶体管器件，还包括在所述下栅极的上表面和所述上栅极的侧壁上的绝缘区。

9.根据权利要求8所述的纳米片晶体管器件，其中所述绝缘区接触所述多个第二纳米片并与所述多个第一纳米片重叠。

10.一种纳米片晶体管器件，包括：

第一晶体管堆叠，包括：

下纳米片晶体管，具有第一纳米片宽度和下栅极宽度；和

上纳米片晶体管，在所述下纳米片晶体管上并具有分别与所述第一纳米片宽度和所述下栅极宽度不同的第二纳米片宽度和上栅极宽度。

11.根据权利要求10所述的纳米片晶体管器件，其中所述下纳米片晶体管和所述上纳米片晶体管中的至少一个是三栅极纳米片晶体管。

12.根据权利要求11所述的纳米片晶体管器件，其中所述下纳米片晶体管和所述上纳米片晶体管中的每个是三栅极纳米片晶体管。

13.根据权利要求12所述的纳米片晶体管器件，还包括包含三栅极纳米片晶体管的第二晶体管堆叠，

其中所述第一晶体管堆叠和所述第二晶体管堆叠彼此相邻，并具有彼此相反的分叉片方向。

14.根据权利要求11所述的纳米片晶体管器件，其中所述下纳米片晶体管和所述上纳米片晶体管分别是全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管和三栅极纳米片晶体管，或者所述下纳米片晶体管和所述上纳米片晶体管分别是三栅极纳米片晶体管和全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管。