[发明专利]一种光控忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210487825.5 | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114975774A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 臧春和;王斌 | 申请（专利权）人： | 光子集成（温州）创新研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325011 浙江省温州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光控忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域，能够增大现有忆阻器的叠层密度并减小其功耗。所述光控忆阻器包括依次堆叠设置的第一光源层、忆阻器阵列层和第二光源层；所述忆阻器阵列层包括呈阵列分布的多个忆阻器器件；所述第一光源层包括呈阵列分布的多个第一发光器件；所述第二光源层包括呈阵列分布的多个第二发光器件；所述忆阻器器件、所述第一发光器件和所述第二发光器件均一一对应；所述第一发光器件用于发射第一波段光；所述第一波段光用于控制对应的所述忆阻器器件开启；所述第二发光器件用于发射第二波段光；所述第二波段光用于控制对应的所述忆阻器器件关闭。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光控 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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