[发明专利]一种光控忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种光控忆阻器，其特征在于，包括依次堆叠设置的第一光源层、忆阻器阵列层和第二光源层；

所述忆阻器阵列层包括呈阵列分布的多个忆阻器器件；所述第一光源层包括呈阵列分布的多个第一发光器件；所述第二光源层包括呈阵列分布的多个第二发光器件；所述忆阻器器件、所述第一发光器件和所述第二发光器件均一一对应；

所述第一发光器件用于发射第一波段光；所述第一波段光用于控制对应的所述忆阻器器件开启；

所述第二发光器件用于发射第二波段光；所述第二波段光用于控制对应的所述忆阻器器件关闭。

2.根据权利要求1所述的光控忆阻器，其特征在于，所述第一光源层和所述第二光源层均为光源层；

所述光控忆阻器还包括间隔且堆叠设置在所述光源层远离所述忆阻器阵列层一侧的忆阻器阵列层与光源层；

且每一所述光控忆阻器均设置在所述第一光源层与所述第二光源层之间。

3.根据权利要求1所述的光控忆阻器，其特征在于，所述第一光源层还包括第一电极单元和第二电极单元；所述第二光源层还包括第三电极单元和第四电极单元；

所述第一电极单元位于所述第一发光器件远离所述忆阻器器件的一侧；所述第二电极单元位于所述第一发光器件与所述忆阻器器件之间；

所述第三电极单元位于所述第二发光器件与所述忆阻器器件之间；所述第四电极单元位于所述第二发光器件远离所述忆阻器器件的一侧。

4.根据权利要求3所述的光控忆阻器，其特征在于，所述光控忆阻器还包括多个第一凸透镜和多个第二凸透镜；

所述第一凸透镜嵌设在所述第二电极单元内部，且每一所述第一凸透镜均设置在与其对应的忆阻器器件与第一发光器件之间；

所述第二凸透镜嵌设在所述第三电极单元内部，且每一所述第二凸透镜均设置在与其对应的忆阻器器件与第二发光器件之间。

5.根据权利要求1所述的光控忆阻器，其特征在于，所述第一发光器件和/或所述第二发光器件为发光二极管。

6.根据权利要求1所述的光控忆阻器，其特征在于，所述第一波段光的波长为200～250nm；

所述第二波段光的波长为250～500nm。

7.根据权利要求1所述的光控忆阻器，其特征在于，所述光控忆阻器还包括衬底，所述衬底设置在所述忆阻器阵列层远离所述第一电源层或所述第二电源层一侧；

所述衬底为二氧化硅/硅衬底。

8.根据权利要求1所述的光控忆阻器，其特征在于，所述忆阻器器件的材料包括氧化物固溶体。

9.一种用于制备权利要求1-8中任一项所述的光控忆阻器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底的一侧制备呈阵列分布的多个所述第一发光器件，以形成所述第一光源层；

在所述第一光源层远离所述衬底的一侧设置呈阵列分布的多个所述忆阻器器件，以形成所述忆阻器阵列层；

在所述忆阻器阵列层远离所述第一光源层的一侧设置呈阵列分布的多个所述第二发光器件，以形成所述第二光源层。