[发明专利]一种光控忆阻器及其制备方法

说明书

本发明公开了一种光控忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域，能够增大现有忆阻器的叠层密度并减小其功耗。所述光控忆阻器包括依次堆叠设置的第一光源层、忆阻器阵列层和第二光源层；所述忆阻器阵列层包括呈阵列分布的多个忆阻器器件；所述第一光源层包括呈阵列分布的多个第一发光器件；所述第二光源层包括呈阵列分布的多个第二发光器件；所述忆阻器器件、所述第一发光器件和所述第二发光器件均一一对应；所述第一发光器件用于发射第一波段光；所述第一波段光用于控制对应的所述忆阻器器件开启；所述第二发光器件用于发射第二波段光；所述第二波段光用于控制对应的所述忆阻器器件关闭。

技术领域

本发明涉及一种光控忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域。

背景技术

忆阻器是除电阻器、电容器、电感器之外的第四种基本无源电子器件。忆阻器通常由夹在两个电极之间的绝缘体或半导体薄膜组成，它的电导可以通过施加电信号进行调控，实现连续的增加或减小。忆阻器可以保持变化后的电导这一独特的性能使其在新型存算一体架构领域或神经形态计算中表现出了广阔的应用前景。

目前，忆阻器阵列都是通过电脉冲信号来控制忆阻器的开关。具体包括两种控制方式：一种是通过电脉冲信号的跨度调节交叉阵列点上忆阻器的电量；另一种是通过调节电脉冲信号的幅度来调节交叉阵列点上忆阻器的电压，以实现忆阻器的开、关两个状态的转变。在实际工作中，这些以电控方式控制开、关状态的忆阻器会存在光信号的传输问题。按照原有的电控方式，还需要将光信号先转变为电信号，这就需要增加额外的器件。增加的器件会占用存储器空间，减小忆阻器的叠层密度、增大忆阻器的功耗。

发明内容

本发明提供了一种光控忆阻器及其制备方法，能够增大现有忆阻器的叠层密度并减小其功耗。

一方面，本发明提供了一种光控忆阻器，包括依次堆叠设置的第一光源层、忆阻器阵列层和第二光源层；

所述忆阻器阵列层包括呈阵列分布的多个忆阻器器件；所述第一光源层包括呈阵列分布的多个第一发光器件；所述第二光源层包括呈阵列分布的多个第二发光器件；所述忆阻器器件、所述第一发光器件和所述第二发光器件均一一对应；

所述第一发光器件用于发射第一波段光；所述第一波段光用于控制对应的所述忆阻器器件开启；

所述第二发光器件用于发射第二波段光；所述第二波段光用于控制对应的所述忆阻器器件关闭。

优选的，所述第一光源层和所述第二光源层均为光源层；

所述光控忆阻器还包括间隔且堆叠设置在所述光源层远离所述忆阻器阵列层一侧的忆阻器阵列层与光源层；

且每一所述光控忆阻器均设置在所述第一光源层与所述第二光源层之间。

优选的，所述第一光源层还包括第一电极单元和第二电极单元；所述第二光源层还包括第三电极单元和第四电极单元；

所述第一电极单元位于所述第一发光器件远离所述忆阻器器件的一侧；所述第二电极单元位于所述第一发光器件与所述忆阻器器件之间；

所述第三电极单元位于所述第二发光器件与所述忆阻器器件之间；所述第四电极单元位于所述第二发光器件远离所述忆阻器器件的一侧。

优选的，所述光控忆阻器还包括多个第一凸透镜和多个第二凸透镜；

所述第一凸透镜嵌设在所述第二电极单元内部，且每一所述第一凸透镜均设置在与其对应的忆阻器器件与第一发光器件之间；

所述第二凸透镜嵌设在所述第三电极单元内部，且每一所述第二凸透镜均设置在与其对应的忆阻器器件与第二发光器件之间。

优选的，所述第一发光器件和/或所述第二发光器件为发光二极管。

优选的，所述第一波段光的波长为200～250nm；