[发明专利]沟槽型功率MOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202210483500.X | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114582959B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 周振强;徐承福 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型功率MOS器件及其制造方法，在终端区最外侧终端沟槽的外侧的衬底的要求深度中增设至少一个掺杂区，所述掺杂区掺杂有第二导电类型的杂质，且所述掺杂区的净掺杂的导电类型为第一导电类型，能够优化最外侧终端沟槽附近的耗尽宽度和耗尽区边界线的曲率半径，使得耗尽边界线距终端区最外侧终端沟槽的距离足够，改变电场分布，降低碰撞电离率，从而提高了器件终端结构的耐压以及整个器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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