[发明专利]集成ESD多晶硅层的半导体装置有效
| 申请号： | 202210483478.9 | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114582839B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 鲁明杰;陈一;丛茂杰 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成ESD多晶硅层的半导体装置，包括设置于半导体基底上的ESD多晶硅层、设置于ESD多晶硅层上的层间介质层和设置于层间介质层上的第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极具有第一间隙，从在半导体基底表面的正投影来看，ESD多晶硅层投影的部分边界线围出至少一个凸出部，第一间隙投影从ESD多晶硅层投影跨过所述部分边界线并延伸到ESD多晶硅层投影的外部，该部分边界线围出的凸出部均落在第一间隙投影内，该半导体装置中，在第一间隙内的层间介质层表面不容易残留将第一金属电极和第二金属电极短路的导电材料，有助于避免第一间隙两侧的第一金属电极和第二金属电极导通，提高半导体装置的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 esd 多晶 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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