[发明专利]半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210464433.7 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114843251A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 张炜虎;王珊珊;仇峰 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 200135 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法，包括：场板和多个电阻，多个电阻的阻值不尽相同，各电阻一端分别电连接至场板的表面的不同位置处，另一端均连接源端电压，由于各电阻与场板连接点处的电势因各电阻阻值的不同而有所不同，通过调节各电阻的阻值的方式，能够准确地对场板各部分的电势进行调节。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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