[发明专利]半导体器件结构及其制备方法

说明书

本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法，包括：场板和多个电阻，多个电阻的阻值不尽相同，各电阻一端分别电连接至场板的表面的不同位置处，另一端均连接源端电压，由于各电阻与场板连接点处的电势因各电阻阻值的不同而有所不同，通过调节各电阻的阻值的方式，能够准确地对场板各部分的电势进行调节。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件结构及其制备方法。

背景技术

半导体器件中，场氧化层下的电场强度越大，半导体器件越容易被击穿，因此，需要通过调整场氧化层下的场强分布来提高半导体器件的击穿电压。传统技术中，通常采用在场氧化层表面形成阻性场板的方式来对半导体器件中场氧化层下的场强分布进行调整，通过在阻性场板的头尾施加不同的电压来调整场板下各部分的电势差，从而调整场氧化层下的场强分布。然而，阻性场板的电压调节范围有限，且电势差下降在整个场板上均匀下降，存在无法准确地对场板各部分的电势进行调节的问题。

发明内容

基于此，有必要提供能够准确地对场板各部分的电势进行调节的一种半导体器件结构及其制备方法。

本发明设计了一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括：

场板；

多个电阻，多个所述电阻的阻值不尽相同；各所述电阻一端分别电连接至所述场板的表面的不同位置处，另一端均连接源端电压。

在其中一个实施例中，所述半导体器件结构还包括多个间隔排布的第一互连结构，多个所述第一互连结构一端分别与所述电阻一一对应连接，另一端分别位于所述场板表面的不同位置处。

在其中一个实施例中，所述半导体器件结构还包括多个金属互连层；所述金属互连层位于所述第一互连结构及所述电阻之间，与所述第一互连结构及所述电阻一一对应连接。

在其中一个实施例中，多个所述第一互连结构等间距间隔排布。

在其中一个实施例中，所述半导体器件结构还包括：

衬底，所述衬底内形成有相邻接的源区及漏区；

场氧化层，位于所述衬底的表面，且自所述源区的表面延伸至所述漏区的表面；

所述场板自所述源区的表面延伸至所述场氧化层远离所述衬底的表面。

在其中一个实施例中，所述半导体器件结构还包括第二互连结构，所述第二互连结构位于多个所述第一互连结构远离所述源区的一侧，一端与所述场板相接触，另一端连接输入电压。

本发明还提供了一种半导体器件结构的制备方法，所述半导体器件结构的制备方法包括：

形成场板；

于所述场板外形成多个电阻，多个所述电阻的阻值不尽相同；各所述电阻一端分别电连接至所述场板的表面的不同位置处，另一端均连接源端电压。

在其中一个实施例中，形成所述场板之后，且形成所述电阻之前，还包括：

于所述场板的表面形成多个第一间隔排布的第一互连结构，所述第一互连结构一端分别与所述电阻一一对应连接，另一端分别位于所述场板表面的不同位置处。

在其中一个实施例中，形成所述第一互连结构之后，且形成所述电阻之前，还包括：

于所述第一互连结构及所述电阻之间形成多个金属互连层；所述金属互连层与所述第一互连结构及所述电阻一一对应连接。

在其中一个实施例中，形成所述场板之前，还包括：

提供衬底；

于所述衬底内形成源区及漏区，所述源区与所述漏区相邻接；